CSD23285F5 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的制程技術,旨在提供高效的開關性能和低導通電阻特�,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應�。其�(yōu)化的封裝設計使其能夠滿足高密度電路板布局需��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻:3.7mΩ
柵極電荷�30nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55� � 150�
CSD23285F5 具有極低的導通電阻,可顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
該器件還具備�(yōu)異的熱性能和耐用�,能夠在嚴苛的工作條件下保持�(wěn)定運行�
此外,其快速開關能力和低柵極電荷使其非常適合高頻應�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流器以及電機控制器等場景�
它還采用了小尺寸封裝(SON 8 引腳�,從而為 PCB 布局提供了更大的靈活��
CSD23285F5 廣泛應用于消費電�、工�(yè)設備及汽車領域中的功率管理電路�
典型應用包括但不限于�
- 開關電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 同步整流
- 電池管理系統(tǒng)(BMS�
- 小型電機�(qū)�
- 逆變器模�
憑借其卓越的性能表現(xiàn),這款 MOSFET 成為需要高效能與緊湊空間解決方案的理想選擇�
CSD19504Q5A, IRF3710, FDMC8812