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CSD19538Q2T 發(fā)布時間 時間：2025/4/29 8:48:56 查看 閱讀：24

CSD19538Q2T 是一款由德州儀器 (TI) 推出的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用小型的 QFN 封裝。該器件主要應(yīng)用于高效能開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。
　　這款 MOSFET 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點。其高效率和小尺寸封裝使其非常適合于空間受限的設(shè)計。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：47A
　　導(dǎo)通電阻：1.6mΩ
　　柵極電荷：28nC
　　開關(guān)速度：快速
　　封裝類型：QFN-8
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃

特性

CSD19538Q2T 的核心特點是其超低的導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能。它能夠在高電流條件下保持較低的功耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。
　　該器件還具有優(yōu)秀的熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫，適合在惡劣環(huán)境下使用。
　　此外，其快速開關(guān)特性和低柵極電荷使得 CSD19538Q2T 成為高頻開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。這種設(shè)計可以顯著減少開關(guān)損耗并提升轉(zhuǎn)換效率。
　　由于采用了 QFN 封裝，這款 MOSFET 不僅體積小巧，而且散熱性能良好，有助于簡化 PCB 布局設(shè)計。

應(yīng)用

CSD19538Q2T 廣泛應(yīng)用于需要高性能功率管理的場景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　- 開關(guān)模式電源 (SMPS)
　　- DC/DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 電機(jī)驅(qū)動電路
　　- 電池保護(hù)系統(tǒng)
　　- 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
　　- 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊
　　其出色的效率和可靠性使該器件成為各種高功率密度應(yīng)用的首選解決方案。

替代型號

CSD19537Q2T
　　CSD19536Q2T

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csd19538q2t參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量438現(xiàn)貨10,000Factory
  • 價格1 : ￥9.54000剪切帶（CT）250 : ￥6.20444卷帶（TR）
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）100 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)13.1A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）59 毫歐 @ 5A，10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）3.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）5.6 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）454 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）2.5W（Ta），20.2W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝6-WSON（2x2）
  • 封裝/外殼6-WDFN 裸露焊盤