CSD19538Q2是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用先�(jìn)的制造工藝以提供卓越的電氣性能和可靠�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理以及其他需要高效能�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
該MOSFET采用了SON-8封裝形式,能夠在緊湊的空間內(nèi)提供�(qiáng)大的電氣特�。其出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性使其成為許多高性能電路�(shè)�(jì)的理想選��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�13nC
總電容:350pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
CSD19538Q2的主要特性包括低�(dǎo)通電阻,能夠顯著降低功率損�,提高整體系�(tǒng)效率。同�(shí),其快速開(kāi)�(guān)特性使其適合高頻應(yīng)用環(huán)��
該器件的封裝�(shè)�(jì)有助于改善散熱性能,確保在高溫條件下依然保持穩(wěn)定運(yùn)行�
此外,它具備出色的抗電磁干擾能力以及較高的雪崩耐量,能夠有效保�(hù)電路免受異常情況的影��
CSD19538Q2還具有較低的輸入電容和輸出電�,從而減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失,并提高了整體效率�
這款MOSFET適用于多種應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電池保�(hù)電路以及LED�(qū)�(dòng)器等。由于其高效率和緊湊的封裝尺�,它特別適合于便攜式�(shè)備和空間受限的設(shè)�(jì)中�
在汽�(chē)電子�(lǐng)�,CSD19538Q2可被用于啟動(dòng)馬達(dá)控制、車(chē)載充電器以及其他功率管理系統(tǒng)��
此外,該器件在工�(yè)自動(dòng)�、消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品及通信基礎(chǔ)�(shè)施等�(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用�
CSD18536Q5A
CSD19537Q2
CSD19539KCS