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CSD19538Q2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 15:50:24 查看 閱讀�24

CSD19538Q2是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用先�(jìn)的制造工藝以提供卓越的電氣性能和可靠�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理以及其他需要高效能�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
  該MOSFET采用了SON-8封裝形式,能夠在緊湊的空間內(nèi)提供�(qiáng)大的電氣特�。其出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性使其成為許多高性能電路�(shè)�(jì)的理想選��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�24A
  �(dǎo)通電阻:2.2mΩ
  柵極電荷�13nC
  總電容:350pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

CSD19538Q2的主要特性包括低�(dǎo)通電阻,能夠顯著降低功率損�,提高整體系�(tǒng)效率。同�(shí),其快速開(kāi)�(guān)特性使其適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  該器件的封裝�(shè)�(jì)有助于改善散熱性能,確保在高溫條件下依然保持穩(wěn)定運(yùn)行�
  此外,它具備出色的抗電磁干擾能力以及較高的雪崩耐量,能夠有效保�(hù)電路免受異常情況的影��
  CSD19538Q2還具有較低的輸入電容和輸出電�,從而減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失,并提高了整體效率�

�(yīng)�

這款MOSFET適用于多種應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電池保�(hù)電路以及LED�(qū)�(dòng)器等。由于其高效率和緊湊的封裝尺�,它特別適合于便攜式�(shè)備和空間受限的設(shè)�(jì)中�
  在汽�(chē)電子�(lǐng)�,CSD19538Q2可被用于啟動(dòng)馬達(dá)控制、車(chē)載充電器以及其他功率管理系統(tǒng)��
  此外,該器件在工�(yè)自動(dòng)�、消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品及通信基礎(chǔ)�(shè)施等�(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用�

替代型號(hào)

CSD18536Q5A
  CSD19537Q2
  CSD19539KCS

csd19538q2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd19538q2資料 更多>

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  • 描述
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csd19538q2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �4.85000剪切帶(CT�3,000 : �1.94375卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)14.4A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)59 毫歐 @ 5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)5.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)454 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),20.2W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�6-WSON�2x2�
  • 封裝/外殼6-WDFN 裸露焊盤(pán)