CSD19537Q3 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� N 通道增強型碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET。這款器件采用先�(jìn)� SiC 技�(shù),具有高效率、高溫性能和快速開�(guān)能力,適用于高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
該器件的額定電壓� 650V,導(dǎo)通電阻低,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損�,非常適合要求高能效的應(yīng)用場�。此�,其封裝形式� TO-247,便于散熱設(shè)計和系統(tǒng)集成�
類型:N-Channel SiC MOSFET
額定電壓�650V
額定電流�40A
�(dǎo)通電阻:16mΩ
柵極電荷�85nC
連續(xù)漏極電流�40A
功耗:10W
工作溫度范圍�-55� � +175�
CSD19537Q3 基于 SiC 材料制�,具備出色的電氣和熱性能。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,它能夠在更高的頻率下運�,并提供更低的開�(guān)損��
主要特點包括�
- 高溫�(wěn)定性:支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫操作,使器件能夠在惡劣�(huán)境中�(wěn)定運��
- 快速開�(guān)速度:極低的柵極電荷和輸出電荷使得器件能夠以高頻工作,減少磁性元件體��
- 熱性能�(yōu)越:采用 TO-247 封裝,確保良好的散熱能力�
- 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測�,滿足工�(yè)級可靠性標(biāo)�(zhǔn)�
- 低導(dǎo)通電阻:在大電流條件下保持較低的功�,從而提高整體效��
這些特性使其成為太陽能逆變�、電動汽車充電器、電�(jī)�(qū)動和其他高頻功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��
CSD19537Q3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- 太陽能逆變器:用于 DC-AC �(zhuǎn)換,提升能量�(zhuǎn)換效��
- 電動汽車充電站:支持高效的直流快充功能�
- 電機(jī)�(qū)動器:實�(xiàn)高性能控制,同時降低能��
- 不間斷電源(UPS):提供�(wěn)定的電力供應(yīng),優(yōu)化動�(tài)響應(yīng)�
- 開關(guān)電源(SMPS):在服�(wù)�、通信�(shè)備中用作高效功率�(zhuǎn)換的核心組件�
得益于其高頻和高效特�,CSD19537Q3 在需要緊湊設(shè)計和高效率的場合表現(xiàn)出色�
CSD19536KCS, CSD19538Q5A