日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD19537Q3

CSD19537Q3 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 18:25:13 查看 閱讀�30

CSD19537Q3 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)� N 通道增強型碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET。這款器件采用先�(jìn)� SiC 技�(shù),具有高效率、高溫性能和快速開�(guān)能力,適用于高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  該器件的額定電壓� 650V,導(dǎo)通電阻低,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損�,非常適合要求高能效的應(yīng)用場�。此�,其封裝形式� TO-247,便于散熱設(shè)計和系統(tǒng)集成�

參數(shù)

類型:N-Channel SiC MOSFET
  額定電壓�650V
  額定電流�40A
  �(dǎo)通電阻:16mΩ
  柵極電荷�85nC
  連續(xù)漏極電流�40A
  功耗:10W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

CSD19537Q3 基于 SiC 材料制�,具備出色的電氣和熱性能。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,它能夠在更高的頻率下運�,并提供更低的開�(guān)損��
  主要特點包括�
  - 高溫�(wěn)定性:支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫操作,使器件能夠在惡劣�(huán)境中�(wěn)定運��
  - 快速開�(guān)速度:極低的柵極電荷和輸出電荷使得器件能夠以高頻工作,減少磁性元件體��
  - 熱性能�(yōu)越:采用 TO-247 封裝,確保良好的散熱能力�
  - 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測�,滿足工�(yè)級可靠性標(biāo)�(zhǔn)�
  - 低導(dǎo)通電阻:在大電流條件下保持較低的功�,從而提高整體效��
  這些特性使其成為太陽能逆變�、電動汽車充電器、電�(jī)�(qū)動和其他高頻功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��

�(yīng)�

CSD19537Q3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  - 太陽能逆變器:用于 DC-AC �(zhuǎn)換,提升能量�(zhuǎn)換效��
  - 電動汽車充電站:支持高效的直流快充功能�
  - 電機(jī)�(qū)動器:實�(xiàn)高性能控制,同時降低能��
  - 不間斷電源(UPS):提供�(wěn)定的電力供應(yīng),優(yōu)化動�(tài)響應(yīng)�
  - 開關(guān)電源(SMPS):在服�(wù)�、通信�(shè)備中用作高效功率�(zhuǎn)換的核心組件�
  得益于其高頻和高效特�,CSD19537Q3 在需要緊湊設(shè)計和高效率的場合表現(xiàn)出色�

替代型號

CSD19536KCS, CSD19538Q5A

csd19537q3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd19537q3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

csd19537q3�(chǎn)�

csd19537q3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�10,000Factory查看交期
  • 價格1 : �10.10000剪切帶(CT�2,500 : �4.59107卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)50A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)14.5 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)3.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)21 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1680 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.8W(Ta��83W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSON�3.3x3.3�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN