CSD19535KCS 是一款由德州儀� (TI) 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的工藝技術制造,具有低導通電阻和高開關速度的特�,非常適合用于高效能電源管理、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等應用領�。其封裝形式� QFN 封裝�8 引腳),有助于提高散熱性能和節(jié)� PCB 空間�
該器件的設計重點在于�(yōu)化開關性能與導通損耗之間的平衡,從而在高頻工作條件下提供卓越的效率表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
柵極電荷�17nC(典型值)
輸入電容�1290pF(典型值)
總功耗:1.8W
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
CSD19535KCS 具有非常低的導通電�,這使得它能夠在高負載電流下保持較低的功率損�,進而提升整體系�(tǒng)效率�
此外,它的柵極電荷較�,確保了快速的開關速度,能夠有效減少開關損耗�
由于采用� QFN 封裝,這款 MOSFET 還具備出色的熱性能,能�?qū)崃扛行У貍鲗�?PCB,從而延長器件壽命并增強可靠性�
該器件支持較寬的工作溫度范圍,使其適用于各種惡劣�(huán)境下的工�(yè)和汽車應用�
CSD19535KCS 廣泛應用于需要高效能開關的場�,包括但不限于:
- 開關模式電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機�(qū)動電�
- 工業(yè)自動化設備中的負載切�
- 汽車電子系統(tǒng)的功率控制模�
- 筆記本電腦及平板充電適配�
其低導通電阻和高電流處理能力使它成為這些應用的理想選��
CSD19536KCS, CSD19537Q5A