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CSD19535KCS 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 20:55:02 查看 閱讀�23

CSD19535KCS 是一款由德州儀� (TI) 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的工藝技術制造,具有低導通電阻和高開關速度的特�,非常適合用于高效能電源管理、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等應用領�。其封裝形式� QFN 封裝�8 引腳),有助于提高散熱性能和節(jié)� PCB 空間�
  該器件的設計重點在于�(yōu)化開關性能與導通損耗之間的平衡,從而在高頻工作條件下提供卓越的效率表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�24A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  柵極電荷�17nC(典型值)
  輸入電容�1290pF(典型值)
  總功耗:1.8W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

CSD19535KCS 具有非常低的導通電�,這使得它能夠在高負載電流下保持較低的功率損�,進而提升整體系�(tǒng)效率�
  此外,它的柵極電荷較�,確保了快速的開關速度,能夠有效減少開關損耗�
  由于采用� QFN 封裝,這款 MOSFET 還具備出色的熱性能,能�?qū)崃扛行У貍鲗�?PCB,從而延長器件壽命并增強可靠性�
  該器件支持較寬的工作溫度范圍,使其適用于各種惡劣�(huán)境下的工�(yè)和汽車應用�

應用

CSD19535KCS 廣泛應用于需要高效能開關的場�,包括但不限于:
  - 開關模式電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電機�(qū)動電�
  - 工業(yè)自動化設備中的負載切�
  - 汽車電子系統(tǒng)的功率控制模�
  - 筆記本電腦及平板充電適配�
  其低導通電阻和高電流處理能力使它成為這些應用的理想選��

替代型號

CSD19536KCS, CSD19537Q5A

csd19535kcs推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd19535kcs資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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csd19535kcs�(chǎn)�

csd19535kcs參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,716�(xiàn)�10,000Factory
  • 價格1 : �26.08000管件
  • 系列NexFET?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)150A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)3.6 毫歐 @ 100A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)101 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)7930 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應商器件封�TO-220-3
  • 封裝/外殼TO-220-3