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CSD19532KTT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:46:14 查看 閱讀�23

CSD19532KTT 是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,適合用于高頻�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的�(yīng)用場(chǎng)景�
  這款MOSFET特別適用于需要高效率和散熱性能的電路設(shè)�(jì),其封裝形式為SOT-223,這種封裝提供了良好的散熱性能和電氣連接�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�17A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8.5mΩ
  柵極電荷�14nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C�150°C
  封裝形式:SOT-223

特�

CSD19532KTT 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 低導(dǎo)通電阻:其典型的�(dǎo)通電阻僅�8.5mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力:較小的柵極電荷使得該MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)�(guān),減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 高電流處理能力:支持高達(dá)17A的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)��
  4. 寬工作溫度范圍:可以�-55°C�150°C的環(huán)境溫度下正常工作,適�(yīng)多種惡劣工況�
  5. 小型化封裝:SOT-223封裝在保證散熱性能的同�(shí),有助于節(jié)省PCB空間�

�(yīng)�

CSD19532KTT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 汽車電子
  7. 其他需要高效功率管理的�(chǎng)�

csd19532ktt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

csd19532ktt資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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csd19532ktt參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �20.19000剪切帶(CT�500 : �11.96460卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)200A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)5.6 毫歐 @ 90A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)57 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)5060 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�DDPAK/TO-263-3
  • 封裝/外殼TO-263-4,D2Pak�3 引線 + 接片),TO-263AA