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CSD18563Q5A 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 20:35:41 查看 閱讀�24

CSD18563Q5A是德州儀器(TI)推出的一款N溝道增強型碳化硅(SiC)MOSFET功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的碳化硅技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高功率轉(zhuǎn)換效率并減少系統(tǒng)尺寸�
  由于其出色的性能,CSD18563Q5A非常適合用于高功率密度的�(yīng)用場�,例如電動汽車充電器、太陽能逆變器、數(shù)�(jù)中心電源以及工業(yè)電機�(qū)動等�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�97A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ
  柵極電荷�105nC
  總開�(guān)能量�3.2mJ
  封裝類型:TO-247-4

特�

CSD18563Q5A的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:該器件支持高達(dá)1200V的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:�8mΩ的導(dǎo)通電阻可以降低導(dǎo)通損�,從而提升整體效��
  3. 快速開�(guān)速度:得益于碳化硅材料的獨特性質(zhì),CSD18563Q5A具備非常低的柵極電荷和輸出電�,使得它能夠在高頻條件下工作�
  4. 熱性能�(yōu)異:該器件采用了�(yōu)化的熱設(shè)�,有助于更高效地散發(fā)熱量,延長使用壽命�
  5. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保在極端條件下的�(wěn)定運行�

�(yīng)�

CSD18563Q5A廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電動汽車充電樁:
  CSD18563Q5A的高效率和快速開�(guān)能力使其成為電動車直流快充系�(tǒng)的理想選��
  2. 太陽能逆變器:
  在光伏能源系�(tǒng)中,這款SiC MOSFET可有效提升電力轉(zhuǎn)換效率并減少熱管理需��
  3. �(shù)�(jù)中心電源�
  憑借其卓越的功率密度表�(xiàn),CSD18563Q5A可用于構(gòu)建更加緊湊且高效的服�(wù)器電源解決方��
  4. 工業(yè)電機�(qū)動:
  對于需要精確控制和高效率的工業(yè)�(yīng)用而言,這款器件同樣表現(xiàn)出色�

替代型號

CSD18570Q5A

csd18563q5a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd18563q5a資料 更多>

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csd18563q5a參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �11.29000剪切帶(CT�2,500 : �5.12769卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)6.8mOhm @ 18A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)20 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1500 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.2W(Ta��116W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSONP�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN