CSD18563Q5A是德州儀器(TI)推出的一款N溝道增強型碳化硅(SiC)MOSFET功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的碳化硅技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高功率轉(zhuǎn)換效率并減少系統(tǒng)尺寸�
由于其出色的性能,CSD18563Q5A非常適合用于高功率密度的�(yīng)用場�,例如電動汽車充電器、太陽能逆變器、數(shù)�(jù)中心電源以及工業(yè)電機�(qū)動等�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�97A
�(dǎo)通電阻:8mΩ
柵極電荷�105nC
總開�(guān)能量�3.2mJ
封裝類型:TO-247-4
CSD18563Q5A的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:該器件支持高達(dá)1200V的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:�8mΩ的導(dǎo)通電阻可以降低導(dǎo)通損�,從而提升整體效��
3. 快速開�(guān)速度:得益于碳化硅材料的獨特性質(zhì),CSD18563Q5A具備非常低的柵極電荷和輸出電�,使得它能夠在高頻條件下工作�
4. 熱性能�(yōu)異:該器件采用了�(yōu)化的熱設(shè)�,有助于更高效地散發(fā)熱量,延長使用壽命�
5. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保在極端條件下的�(wěn)定運行�
CSD18563Q5A廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電動汽車充電樁:
CSD18563Q5A的高效率和快速開�(guān)能力使其成為電動車直流快充系�(tǒng)的理想選��
2. 太陽能逆變器:
在光伏能源系�(tǒng)中,這款SiC MOSFET可有效提升電力轉(zhuǎn)換效率并減少熱管理需��
3. �(shù)�(jù)中心電源�
憑借其卓越的功率密度表�(xiàn),CSD18563Q5A可用于構(gòu)建更加緊湊且高效的服�(wù)器電源解決方��
4. 工業(yè)電機�(qū)動:
對于需要精確控制和高效率的工業(yè)�(yīng)用而言,這款器件同樣表現(xiàn)出色�
CSD18570Q5A