產品型號 | CSD18531Q5A |
描述 | 場效應管N-CH 60V 8SON |
分類 | 分立半導體產�,晶體管-FET,MOSFET-� |
制造商 | 德州儀� |
系列 | NexFET? |
打包 | 切割�(CT) |
零件狀�(tài) | 活� |
工作溫度 | -55°C?150°C(TJ) |
供應商設備包� | 8-VSONP(5x6) |
包裝/� | 8電源TDFN |
CSD18531Q5A
制造商包裝說明 | VSONP-8 |
符合歐盟RoHS | � |
狀�(tài) | 活� |
雪崩能量等級(Eas) | 224.0兆焦� |
案例連接 | 排水 |
組態(tài) | 單頭內置二極� |
最大漏極電�(Abs)(ID) | 100.0� |
最大漏極電�(ID) | 19.0� |
最大電阻下的漏� | 0.0058歐姆 |
DS擊穿電壓-最小� | 60.0� |
反饋上限(Crss) | 14.0 pF |
場效應管技� | 金屬氧化物半導體 |
JESD-30代碼 | R-PDSO-F5 |
JESD-609代碼 | e3 |
技� | MOSFET(金屬氧化�) |
漏極至源極電�(Vdss) | 60� |
電流-25°C時的連續(xù)漏極(Id) | 19A(Ta)�100A(Tc) |
驅動電壓(最大Rds開啟,最小Rds開啟) | 4.5V�10V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 4.6毫歐@ 22A�10V |
Vgs(th)(最大�)@ ID | 2.3V @ 250μA |
柵極電荷(Qg)(最大�)@ Vgs | 10V時為43nC |
Vgs(最大�) | ±20V |
輸入電容(Ciss)(最大�)@ Vds | 3840pF @ 30V |
耗散功率(最大�) | 3.1W(Ta)�156W(Tc) |
元素�(shù) | 1.0 |
端子�(shù) | 5 |
操作模式 | 增強模式 |
最低工作溫� | -55� |
最高工作溫� | 175� |
包裝主體材料 | 塑料/�(huán)氧樹� |
包裝形狀 | 長方� |
包裝形式 | 小輪� |
峰值回流溫�(�) | 260 |
極�/通道類型 | N通道 |
最大功�(Abs) | 156.0� |
脈沖漏極電流最大�(IDM) | 122.0� |
子類� | FET通用電源 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
終端完成 | 磨砂�(Sn) |
終端表格 | 平面 |
終端位置 | � |
時間@峰值回流溫度最大�(�) | 未標� |
晶體管應� | 交換 |
晶體管元件材� | � |
附加功能 | AVALANCHE額定,邏輯級別兼� |
無鉛狀�(tài)/ RoHS狀�(tài) | 含鉛/符合ROHS3 |
水分敏感性水�(MSL) | 1(無限�) |
超低Q g和Q gd
低熱�
雪崩等級
邏輯水平
無鉛端子電鍍
符合RoHS
無鹵�
VSONP 5 mm×6 mm塑料封裝
電源管理
電機驅動和控�
CSD18531Q5A符號
CSD18531Q5A腳印