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CSD18531Q5A 發(fā)布時間 時間�2023/7/26 17:56:56 查看 閱讀�912

產品概述

產品型號

CSD18531Q5A

描述

場效應管N-CH 60V 8SON

分類

分立半導體產�,晶體管-FET,MOSFET-�

制造商

德州儀�

系列

NexFET?

打包

切割�(CT)

零件狀�(tài)

活�

工作溫度

-55°C?150°C(TJ)

供應商設備包�

8-VSONP(5x6)

包裝/�

8電源TDFN

產品圖片

CSD18531Q5A

CSD18531Q5A

�(guī)格參�(shù)

制造商包裝說明

VSONP-8

符合歐盟RoHS

狀�(tài)

活�

雪崩能量等級(Eas)

224.0兆焦�

案例連接

排水

組態(tài)

單頭內置二極�

最大漏極電�(Abs)(ID)

100.0�

最大漏極電�(ID)

19.0�

最大電阻下的漏�

0.0058歐姆

DS擊穿電壓-最小�

60.0�

反饋上限(Crss)

14.0 pF

場效應管技�

金屬氧化物半導體

JESD-30代碼

R-PDSO-F5

JESD-609代碼

e3

技�

MOSFET(金屬氧化�)

漏極至源極電�(Vdss)

60�

電流-25°C時的連續(xù)漏極(Id)

19A(Ta)�100A(Tc)

驅動電壓(最大Rds開啟,最小Rds開啟)

4.5V�10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6毫歐@ 22A�10V

Vgs(th)(最大�)@ ID

2.3V @ 250μA

柵極電荷(Qg)(最大�)@ Vgs

10V時為43nC

Vgs(最大�)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大�)@ Vds

3840pF @ 30V

耗散功率(最大�)

3.1W(Ta)�156W(Tc)

元素�(shù)

1.0

端子�(shù)

5

操作模式

增強模式

最低工作溫�

-55�

最高工作溫�

175�

包裝主體材料

塑料/�(huán)氧樹�

包裝形狀

長方�

包裝形式

小輪�

峰值回流溫�(�)

260

極�/通道類型

N通道

最大功�(Abs)

156.0�

脈沖漏極電流最大�(IDM)

122.0�

子類�

FET通用電源

安裝類型

表面貼裝

終端完成

磨砂�(Sn)

終端表格

平面

終端位置

時間@峰值回流溫度最大�(�)

未標�

晶體管應�

交換

晶體管元件材�


附加功能

AVALANCHE額定,邏輯級別兼�

�(huán)境與出口分類

無鉛狀�(tài)/ RoHS狀�(tài)

含鉛/符合ROHS3

水分敏感性水�(MSL)

1(無限�)

特點

  • 超低Q g和Q gd

  • 低熱�

  • 雪崩等級

  • 邏輯水平

  • 無鉛端子電鍍

  • 符合RoHS

  • 無鹵�

  • VSONP 5 mm×6 mm塑料封裝

應用領域

  • 電源管理

  • 電機驅動和控�

CAD模型

CSD18531Q5A符號

CSD18531Q5A符號

CSD18531Q5A腳印

CSD18531Q5A腳印

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csd18531q5a

csd18531q5a參數(shù)

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫歐 @ 22A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3840pF @ 30V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-30573-6