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CSD18509Q5B 發(fā)布時間 時間�2023/7/7 13:47:04 查看 閱讀�634

描述

CSD18509Q5B這款40V�1mΩ、SON5x6NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地減少功率�(zhuǎn)換應用中的損�。它適用于DC-DC�(zhuǎn)換、次級側(cè)同步整流器和電池電機控制應用�

�(chǎn)品圖�

CSD18509Q5B

CSD18509Q5B

�(guī)格參�(shù)

制造商德州儀�
制造商�(chǎn)品編�
CSD18509Q5B
供應�
德州儀�
描述
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
零件狀�(tài)
活�
場效應管類型
N通道
技�
MOSFET(金屬氧化�)
漏源電壓(Vdss)
40�
電流 - 連續(xù)漏極(Id)@25°C
100A(Ta)
�(qū)動電�(Max Rds On, Min Rds On)
4.5V�10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm@32A,10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V@250μA
柵極電荷 (Qg)(最大�)@Vgs    
195 nC@10 V
Vgs(最�)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max)@Vds     
13900pF@20V
功�(最�)
3.1W(Ta), 195W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝方式表面貼裝
供應商設備包
8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/�
8-PowerTDFN
連續(xù)漏極電流(ID)38A
漏源擊穿電壓
40�
漏源電阻
1毫歐
漏源電壓(Vdss)
40�
柵源電壓(Vgs)
20�
輸入電容
13.9nF
最大結(jié)�(Tj)
150�
最高工作溫�
150�
最大功�3.1�
最低工作溫�
-55�
通道�(shù)
1
包裝
卷帶(TR)
功�
3.1�
最� Rds  
1.2毫歐
上升時間
19納秒
關斷延遲時間
57納秒
開啟延遲時間
9納秒
高度
1.05毫米
長度
5毫米
厚度950微米
寬度
5毫米

�(huán)境與出口分類

屬�
描述
RoHS狀�(tài)
符合ROHS3
濕氣敏感�(MSL)

1(無限�)

REACH狀�(tài)
REACH受影�

特點

  • 超低導通電�

  • 低熱�

  • 雪崩額定�

  • 邏輯電平

  • 無鉛端子電鍍

  • 符合 RoHS

  • 無鹵

  • SON 5mm × 6mm 塑料封裝

應用領域

  • 電源管理

  • 電機�(qū)動與控制

  • 工業(yè)

引腳�

CAD模型

CSD18509Q5B符號

CSD18509Q5B符號

CSD18509Q5B腳印

CSD18509Q5B腳印

封裝

CSD18509Q5B封裝

CSD18509Q5B封裝

替代型號

型號
制造商
品名
描述
CSD18509Q5BT德州儀�
MOS�
CSD18509Q5BT晶體�,MOSFET,N溝道,100A,40V,0.001ohm,10V,1.8V
CSD18510Q5B
德州儀�MOS�40V、N溝道NexFETMOSFET?、單路、SON5x6�0.96mΩ8-VSON-CLIP-55to150

csd18509q5b推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd18509q5b資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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csd18509q5b圖片

csd18509q5b

csd18509q5b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,822�(xiàn)�
  • 價格1 : �18.68000剪切帶(CT�2,500 : �9.48026卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Ta�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)1.2 毫歐 @ 32A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)195 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)13900 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),195W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�8-VSON-CLIP�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN