CSD17311Q5是一款高性能的N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的工藝制�,具有低導通電阻和高開關速度的特�。該器件適用于需要高效能和低損耗的應用場合,例如DC-DC轉換器、負載開關和電機驅動�。其封裝形式為SON(小外形無引腳),有助于提高功率密度并降低系�(tǒng)成本�
這款MOSFET在高頻開關應用中表現(xiàn)出色,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠滿足�(xiàn)代電子設備對小型化和高效能的需��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�19A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�18nC
輸入電容�1280pF
工作結溫范圍�-55℃至175�
封裝形式:SON
CSD17311Q5的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功耗并提升效率�
2. 高開關速度,適合高頻應用場合�
3. 小型SON封裝設計,有助于節(jié)省電路板空間�
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
5. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保�
6. 內置反向二極�,簡化電路設計并提高整體性能�
7. 具備出色的熱特性和電氣性能,可長期可靠運行�
該器件廣泛應用于各種電源管理和功率轉換場�,具體應用領域如下:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC轉換器和降壓/升壓轉換��
3. 負載開關和電池保護電路�
4. 電機驅動和音頻放大器�
5. 工業(yè)自動化設備和通信基礎設施�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效能功率管理模塊�
CSD17311Q5憑借其卓越的性能,在上述應用中可以顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
CSD17572Q5B
CSD17571Q5A