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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD17306Q5A

CSD17306Q5A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:45:39 查看 閱讀�27

CSD17306Q5A是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。這款器件采用了GaN技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和非常快的�(kāi)�(guān)速度,適用于高頻、高效能的應(yīng)用場(chǎng)景�
  該器件適合用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC電路以及其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�。由于其�(yōu)異的性能,它能夠顯著提高效率并減少系�(tǒng)體積�

參數(shù)

�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�
  材料:氮化鎵(GaN�
  最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻:70mΩ
  柵極電荷�20nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(因GaN特性)
  封裝形式:QFN 8x8mm

特�

CSD17306Q5A具備卓越的電氣性能,主要體�(xiàn)在以下幾�(gè)方面�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得其傳導(dǎo)損耗大大降低,從而提高了整體系統(tǒng)的效��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,允許在更高的頻率下工作,減少了磁性元件的尺寸,�(jìn)而降低了整�(gè)系統(tǒng)的成本與體積�
  3. 增強(qiáng)型設(shè)�(jì)使其更易于驅(qū)�(dòng),與傳統(tǒng)硅基MOSFET兼容的柵極驅(qū)�(dòng)電壓范圍�(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)��
  4. 具有出色的熱性能,確保在高功率密度應(yīng)用中的穩(wěn)定運(yùn)��
  5. GaN技�(shù)帶來(lái)的固有優(yōu)�(shì)包括零反向恢�(fù)電荷(Qrr�,�(jìn)一步降低了�(kāi)�(guān)損��

�(yīng)�

CSD17306Q5A廣泛�(yīng)用于多種高效功率�(zhuǎn)換領(lǐng)域,具體包括�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的圖騰柱�(wú)橋PFC電路,提升功率因�(shù)校正效率�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在要求小型化、高效率和高功率密度的設(shè)�(jì)��
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,提供更快的�(dòng)�(tài)響應(yīng)和更低的能��
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)�,優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效��
  5. �(shù)�(jù)中心及通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效電源模��

替代型號(hào)

CSD18506Q5A

csd17306q5a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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csd17306q5a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 毫歐 @ 22A�8V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.6V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2170pF @ 15V
  • 功率 - 最�3.2W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱(chēng)296-25856-6