CSD17306Q5A是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。這款器件采用了GaN技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和非常快的�(kāi)�(guān)速度,適用于高頻、高效能的應(yīng)用場(chǎng)景�
該器件適合用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC電路以及其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�。由于其�(yōu)異的性能,它能夠顯著提高效率并減少系�(tǒng)體積�
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻:70mΩ
柵極電荷�20nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(因GaN特性)
封裝形式:QFN 8x8mm
CSD17306Q5A具備卓越的電氣性能,主要體�(xiàn)在以下幾�(gè)方面�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使得其傳導(dǎo)損耗大大降低,從而提高了整體系統(tǒng)的效��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,允許在更高的頻率下工作,減少了磁性元件的尺寸,�(jìn)而降低了整�(gè)系統(tǒng)的成本與體積�
3. 增強(qiáng)型設(shè)�(jì)使其更易于驅(qū)�(dòng),與傳統(tǒng)硅基MOSFET兼容的柵極驅(qū)�(dòng)電壓范圍�(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)��
4. 具有出色的熱性能,確保在高功率密度應(yīng)用中的穩(wěn)定運(yùn)��
5. GaN技�(shù)帶來(lái)的固有優(yōu)�(shì)包括零反向恢�(fù)電荷(Qrr�,�(jìn)一步降低了�(kāi)�(guān)損��
CSD17306Q5A廣泛�(yīng)用于多種高效功率�(zhuǎn)換領(lǐng)域,具體包括�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的圖騰柱�(wú)橋PFC電路,提升功率因�(shù)校正效率�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在要求小型化、高效率和高功率密度的設(shè)�(jì)��
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,提供更快的�(dòng)�(tài)響應(yīng)和更低的能��
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)�,優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效��
5. �(shù)�(jù)中心及通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效電源模��
CSD18506Q5A