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CSD17305Q5A 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 20:40:49 查看 閱讀�19

CSD17305Q5A 是一款由德州儀� (TI) 生產(chǎn)的高性能 N 溝道增強� MOSFET,采用先進的工藝制造。該器件適用于高�、高效能的開�(guān)�(yīng)用場合,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)和電機驅(qū)動等。其�(yōu)化的柵極電荷和導(dǎo)通電阻特性使其成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
  該器件具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能,可顯著提高系統(tǒng)效率并減少發(fā)�。此�,它還具備堅固的雪崩能力� ESD 保護功能,從而提高了系統(tǒng)的可靠��

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  封裝:WSON-6
  Vds(漏源電壓)�20V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�3.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
  Id(連續(xù)漏極電流):84A(典型值)
  Qg(總柵極電荷):11nC
  Bvdss(擊穿電壓)�20V
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.4V~2.2V
  fT(截止頻率)�9.8MHz
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃~150�

特�

CSD17305Q5A 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在 Vgs=10V 時為 3.5mΩ(典型值),能夠有效降低傳�(dǎo)損耗�
  2. 快速的開關(guān)速度,得益于其較小的柵極電荷 Qg,僅� 11nC,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高額定電� Id 達到 84A(典型值),支持大功率�(yīng)用需求�
  4. 小巧� WSON-6 封裝,節(jié)省了 PCB 空間,并提供了良好的散熱性能�
  5. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +150�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
  6. 出色的熱�(wěn)定性和耐用�,能夠在高負載條件下長期運行�
  7. 提供了可靠的雪崩能量能力,增強了器件的魯棒性�
  8. �(nèi)� ESD 保護,進一步提升了�(chǎn)品的可靠性�

�(yīng)�

CSD17305Q5A 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 同步整流電路中的主開�(guān)或同步整� MOSFET�
  3. 筆記本電�、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)�
  4. 電池管理及保護系�(tǒng)�
  5. 電機�(qū)動和控制電路�
  6. 通信電源模塊和工�(yè)自動化設(shè)備中的功率級元件�
  7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��

替代型號

CSD17306Q5A,CSD18532Q5B,CSD18533Q5B

csd17305q5a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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csd17305q5a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.4 毫歐 @ 30A�8V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.6V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 15V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-25855-6