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CSD17303Q5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:39:12 查看 閱讀�26

CSD17303Q5是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型硅 carbide (SiC) MOSFET。這款器件�(zhuān)為高�、高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的工作溫度范��
  該器件采用QFN封裝形式,具備出色的熱性能和電氣特性,非常適合用于功率�(zhuǎn)換電路如DC-DC�(zhuǎn)換器、光伏逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):CSD17303Q5
  �(lèi)型:N-channel SiC MOSFET
  VDS(漏源極電�)�650V
  RDS(on)(�(dǎo)通電�)�80mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流)�12A
  柵極電荷(Qg)�40nC
  輸入電容(Ciss)�940pF
  輸出電容(Coss)�150pF
  極間電容(Crss)�45pF
  功耗:100W
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

CSD17303Q5采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),具備以下優(yōu)�(diǎn)�
  1. 高耐壓能力�650V的額定漏源極電壓使其能夠勝任高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:�80mΩ的導(dǎo)通電阻有助于降低�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度:極低的柵極電荷和寄生電容確保了快速的�(kāi)�(guān)性能,從而減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 高溫�(wěn)定性:其能夠在高達(dá)175℃的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,適用于高溫工業(yè)�(huán)��
  5. 小尺寸封裝:QFN封裝不僅節(jié)省空�,還提供了良好的散熱性能�
  這些特點(diǎn)使得CSD17303Q5成為高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

CSD17303Q5廣泛�(yīng)用于各種高效率電力電子設(shè)備中,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):例如服�(wù)�、電信設(shè)備中的AC-DC適配器�
  2. 光伏逆變器:高效的能源轉(zhuǎn)換提升了太陽(yáng)能系�(tǒng)的整體性能�
  3. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)�(chē)載充電器:支持快速充電和高能效需��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):提供更高的功率密度和更好的�(dòng)�(tài)響應(yīng)�
  5. DC-DC�(zhuǎn)換器:在分布式電源系�(tǒng)和電池管理系�(tǒng)中表�(xiàn)�(yōu)��

替代型號(hào)

CSD17571Q5B

csd17303q5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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csd17303q5參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.4 毫歐 @ 25A�8V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.6V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3420pF @ 15V
  • 功率 - 最�3.2W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TDFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱(chēng)296-27232-6