CSD17303Q5是一款由德州儀器(TI)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型硅 carbide (SiC) MOSFET。這款器件�(zhuān)為高�、高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的工作溫度范��
該器件采用QFN封裝形式,具備出色的熱性能和電氣特性,非常適合用于功率�(zhuǎn)換電路如DC-DC�(zhuǎn)換器、光伏逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
型號(hào):CSD17303Q5
�(lèi)型:N-channel SiC MOSFET
VDS(漏源極電�)�650V
RDS(on)(�(dǎo)通電�)�80mΩ
ID(連續(xù)漏極電流)�12A
柵極電荷(Qg)�40nC
輸入電容(Ciss)�940pF
輸出電容(Coss)�150pF
極間電容(Crss)�45pF
功耗:100W
工作溫度范圍�-55� to +175�
CSD17303Q5采用了先�(jìn)的碳化硅技�(shù),具備以下優(yōu)�(diǎn)�
1. 高耐壓能力�650V的額定漏源極電壓使其能夠勝任高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:�80mΩ的導(dǎo)通電阻有助于降低�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度:極低的柵極電荷和寄生電容確保了快速的�(kāi)�(guān)性能,從而減少開(kāi)�(guān)損��
4. 高溫�(wěn)定性:其能夠在高達(dá)175℃的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,適用于高溫工業(yè)�(huán)��
5. 小尺寸封裝:QFN封裝不僅節(jié)省空�,還提供了良好的散熱性能�
這些特點(diǎn)使得CSD17303Q5成為高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
CSD17303Q5廣泛�(yīng)用于各種高效率電力電子設(shè)備中,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):例如服�(wù)�、電信設(shè)備中的AC-DC適配器�
2. 光伏逆變器:高效的能源轉(zhuǎn)換提升了太陽(yáng)能系�(tǒng)的整體性能�
3. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)�(chē)載充電器:支持快速充電和高能效需��
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):提供更高的功率密度和更好的�(dòng)�(tài)響應(yīng)�
5. DC-DC�(zhuǎn)換器:在分布式電源系�(tǒng)和電池管理系�(tǒng)中表�(xiàn)�(yōu)��
CSD17571Q5B