CSD16411Q3 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由德州儀� (TI) 生產(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� HTSSOP,并符合汽車�(jí) AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適用于�(yán)苛環(huán)境下的電力電子設(shè)�(jì)�
該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用中�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻(典型值)�5.5mΩ
柵極電荷�29nC
輸入電容�1180pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:HTSSOP
CSD16411Q3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,能夠顯著降低開�(guān)損��
3. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在極端溫度和振�(dòng)條件下的可靠性�
4. 高雪崩能力和�(qiáng)魯棒�,增�(qiáng)了器件在異常工作條件下的保護(hù)能力�
5. 小巧� HTSSOP 封裝,便� PCB 布局和散熱管��
6. 支持高電流密度設(shè)�(jì),適合大功率�(yīng)用場(chǎng)��
7. 提供�(yōu)異的熱性能,使器件能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
CSD16411Q3 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 汽車電子:如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)、制�(dòng)系統(tǒng)、空�(diào)壓縮�(jī)控制等�
2. 工業(yè)�(shè)備:如伺服電�(jī)�(qū)�(dòng)、工�(yè)電源和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、平板電腦充電器等�
4. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:基站電源模塊、信�(hào)放大器供電電��
5. 新能源:太陽能逆變�、儲(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理部分�
CSD16411Q3 憑借其高性能和可靠�,在這些�(yīng)用中表現(xiàn)卓越,成為工程師的首選解決方案�
CSD18501Q5B, IRF3205, FDP55N06L