CSD16409Q3是一款來(lái)自德州儀器(TI)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用SON-8封裝形式。該器件專門�(shè)�(jì)用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)�。得益于其出色的電氣特性和緊湊的封裝尺�,CSD16409Q3在功率管理領(lǐng)域表�(xiàn)出色�
這款MOSFET基于先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具備較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而能夠減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。此�,它還具有較高的柵極閾值電�,這有助于�(jiǎn)化驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�10nC(典型值)
總電�(Ciss)�1070pF(典型值)
開關(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55°C�175°C
CSD16409Q3的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻,這使其非常適合高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。此�,該器件的緊湊封裝形式使其成為節(jié)省PCB空間的理想選��
該MOSFET具有較高的雪崩耐量和熱�(wěn)定性,能夠在惡劣的工作條件下保持性能。同�(shí),其低柵極電荷特性可以有效減少開�(guān)損�,提高開�(guān)頻率�
由于采用了先�(jìn)的制程技�(shù),CSD16409Q3在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的電氣性能,這對(duì)于要求苛刻的汽車電子和工�(yè)�(yīng)用來(lái)�(shuō)尤為重要�
CSD16409Q3支持高頻開關(guān)操作,并且能夠承受瞬�(tài)電壓尖峰,因此非常適合用于同步整流、負(fù)載切換以及電池管理系�(tǒng)等應(yīng)��
CSD16409Q3廣泛�(yīng)用于各種功率管理�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 降壓和升壓DC-DC�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件
2. �(fù)載開�(guān),用于控制電源路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),提供高效的功率輸出
4. 電池保護(hù)電路,防止過(guò)流或短路
5. 汽車電子系統(tǒng),如啟停系統(tǒng)、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向等
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)組件
7. 筆記本電腦和移動(dòng)�(shè)備的充電管理模塊
CSD18503Q5A, CSD17579Q5A, CSD16362Q3