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CSD16409Q3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 14:43:34 查看 閱讀�24

CSD16409Q3是一款來(lái)自德州儀器(TI)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用SON-8封裝形式。該器件專門�(shè)�(jì)用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)�。得益于其出色的電氣特性和緊湊的封裝尺�,CSD16409Q3在功率管理領(lǐng)域表�(xiàn)出色�
  這款MOSFET基于先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具備較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而能夠減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。此�,它還具有較高的柵極閾值電�,這有助于�(jiǎn)化驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�12A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�10nC(典型值)
  總電�(Ciss)�1070pF(典型值)
  開關(guān)速度:快�
  工作�(jié)溫范圍:-55°C�175°C

特�

CSD16409Q3的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻,這使其非常適合高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。此�,該器件的緊湊封裝形式使其成為節(jié)省PCB空間的理想選��
  該MOSFET具有較高的雪崩耐量和熱�(wěn)定性,能夠在惡劣的工作條件下保持性能。同�(shí),其低柵極電荷特性可以有效減少開�(guān)損�,提高開�(guān)頻率�
  由于采用了先�(jìn)的制程技�(shù),CSD16409Q3在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的電氣性能,這對(duì)于要求苛刻的汽車電子和工�(yè)�(yīng)用來(lái)�(shuō)尤為重要�
  CSD16409Q3支持高頻開關(guān)操作,并且能夠承受瞬�(tài)電壓尖峰,因此非常適合用于同步整流、負(fù)載切換以及電池管理系�(tǒng)等應(yīng)��

�(yīng)�

CSD16409Q3廣泛�(yīng)用于各種功率管理�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 降壓和升壓DC-DC�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件
  2. �(fù)載開�(guān),用于控制電源路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),提供高效的功率輸出
  4. 電池保護(hù)電路,防止過(guò)流或短路
  5. 汽車電子系統(tǒng),如啟停系統(tǒng)、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向等
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)組件
  7. 筆記本電腦和移動(dòng)�(shè)備的充電管理模塊

替代型號(hào)

CSD18503Q5A, CSD17579Q5A, CSD16362Q3

csd16409q3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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csd16409q3參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列NexFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.2 毫歐 @ 17A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds800pF @ 12.5V
  • 功率 - 最�2.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-TDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-24253-6