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CS2N65A4HY 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 20:11:06 查看 閱讀�20

CS2N65A4HY是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于超�(jié)功率MOSFET系列。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。其額定電壓�650V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠��
  CS2N65A4HY通過�(yōu)化設(shè)�(jì)減少了開�(guān)損�,提升了系統(tǒng)效率,同�(shí)其封裝形式便于散熱和安裝,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)電子場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�4.3A
  �(dǎo)通電阻:170mΩ
  柵極電荷�18nC
  輸入電容�1390pF
  總功耗:25W
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  封裝形式:TO-220

特�

CS2N65A4HY具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:650V,能夠在高電壓環(huán)境下�(wěn)定工作�
  2. 低導(dǎo)通電阻:170mΩ(典型值),有效降低傳�(dǎo)損�,提高效��
  3. 快速開�(guān)能力:具備較小的柵極電荷和輸出電容,支持高頻操作�
  4. 熱性能�(yōu)異:采用TO-220封裝,具有良好的散熱能力�
  5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試,能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定��
  6. 反向恢復(fù)�(shí)間短:確保在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  這些特點(diǎn)使得CS2N65A4HY成為高效能功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇�

�(yīng)�

CS2N65A4HY廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如適配器、充電器��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于電壓調(diào)節(jié)和變換�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流無刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  4. �(fù)載開�(guān):實(shí)�(xiàn)電路的快速通斷�
  5. 工業(yè)控制:如逆變�、UPS不間斷電源等�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如電�、顯示器的電源模塊�
  由于其高耐壓和低損耗特�,CS2N65A4HY特別適合需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場��

替代型號(hào)

FDP5800, IRFB3207, STP10NK65Z

cs2n65a4hy推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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