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CS2N60A4H 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 21:45:15 查看 閱讀�14

CS2N60A4H是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功��
  CS2N60A4H的主要特�(diǎn)包括�(yōu)化的漏源極導(dǎo)通電阻(Rds(on))、較低的柵極電荷以及出色的熱�(wěn)定�,使其成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):CS2N60A4H
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-252(DPAK)
  最大漏源極電壓(Vds)�60V
  最大柵源極電壓(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�4.9A(�25°C�)
  漏源極導(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí))
  總柵極電�(Qg)�18nC(典型�)
  輸入電容(Ciss)�730pF(典型�)
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C

特�

1. 高擊穿電壓:CS2N60A4H的漏源極電壓高達(dá)60V,適用于多種中高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:其典型導(dǎo)通電阻僅�45mΩ,能顯著減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:該器件具有低柵極電荷和快速開(kāi)�(guān)速度,可以降低開(kāi)�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下,CS2N60A4H仍能保持�(wěn)定的電氣性能�
  5. 小型封裝:采用TO-252封裝形式,節(jié)省PCB空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)需��
  6. 寬工作溫度范圍:�-55°C�+150°C的工作溫度范圍,確保了器件在極端�(huán)境下的可靠��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)�
  CS2N60A4H適用于各種開(kāi)�(guān)電源�?fù)浣Y(jié)�(gòu),例如降�(Buck)、升�(Boost)或反激�(Flyback)�(zhuǎn)換器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器�
  由于其快速開(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電�,這款MOSFET非常適合用作DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流器�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  可用于驅(qū)�(dòng)小型直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī),提供高效且可靠的開(kāi)�(guān)控制�
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān)�
  在負(fù)載切換場(chǎng)景中,CS2N60A4H憑借其低導(dǎo)通電阻和快速響�(yīng)�(shí)間表�(xiàn)出色�
  5. 電池保護(hù)電路�
  作為電池保護(hù)電路中的�(guān)鍵元�,可防止�(guò)�、短路等�(wèn)題發(fā)生�

替代型號(hào)

CS2N60A4L, IRFZ44N, FDP5580

cs2n60a4h推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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