CS25N10A4 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用先進的工藝技�(shù)制造,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電源管理應用。其小型化的封裝�(shè)計使其在空間受限的設(shè)計中具有顯著�(yōu)��
CS25N10A4 的工作電壓范圍寬�,能夠承受較高的漏源極電壓,同時具備出色的熱性能和電氣特�,確保在各種復雜電路中的�(wěn)定運��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.8A
導通電阻:0.04Ω
柵極電荷�22nC
總電容:730pF
工作溫度范圍�-55� � 150�
CS25N10A4 具有以下主要特性:
1. 高效的功率處理能�,能夠在高頻條件下保持較低的導通損耗�
2. 超低的導通電� Rds(on),有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速的開關(guān)速度,可滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對高速響應的需��
4. 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間,便于實�(xiàn)緊湊型設(shè)計�
5. �(yōu)異的熱性能,能夠有效降低芯片溫�,提高可靠��
6. 廣泛的工作溫度范�,適應多種環(huán)境條件下的應用需��
CS25N10A4 可廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的功率開關(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控制元��
4. 電池保護電路中的負載開關(guān)�
5. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換方案�
由于其高性能特點,CS25N10A4 在需要高效能、小體積和可靠性的應用場景中表�(xiàn)尤為突出�
IRFZ44N
FDP5580
AO3400