CRSZ025N10N 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高電子遷移率晶體� (HEMT),專為高頻和高效能應用設�。該器件采用了先進的 GaN-on-Si 工藝,具有出色的開關性能和低導通電阻特性。CRSZ025N10N 主要用于電源管理、射頻放大器以及新能源領�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減小整體尺寸�
這款芯片能夠在高電壓�(huán)境下運行,同時提供快速的開關速度,非常適合需要高性能和高可靠性的應用場景�
額定電壓�100V
最大電流:25A
導通電阻:6mΩ
柵極電荷�30nC
開關頻率:最高可� 5MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
CRSZ025N10N 具有以下關鍵特性:
1. 高效� GaN 技術,帶來更低的導通損耗和開關損��
2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有效減少功率損��
3. 快速開關能�,支持高頻操�,適合開關電源和 DC-DC 轉換器�
4. 高耐壓能力,能夠在 100V 的額定電壓下�(wěn)定運行�
5. 寬溫度范圍適應�,適用于極端�(huán)境下的工�(yè)和汽車應用�
6. 提供卓越的熱性能,確保長期可靠性�
CRSZ025N10N 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
2. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率轉換模塊�
3. 電動車輛 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的車載充電器及電機驅動器�
4. 射頻功率放大器和通信設備�
5. 工業(yè)自動化設備和機器人中的電源管理系�(tǒng)�
6. 高效 LED 驅動器和 UPS 系統(tǒng)�
CRSZ050N10N
CRSZ025N06N