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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > CRSZ025N10N

CRSZ025N10N 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 17:19:16 查看 閱讀�22

CRSZ025N10N 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高電子遷移率晶體� (HEMT),專為高頻和高效能應用設�。該器件采用了先進的 GaN-on-Si 工藝,具有出色的開關性能和低導通電阻特性。CRSZ025N10N 主要用于電源管理、射頻放大器以及新能源領�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減小整體尺寸�
  這款芯片能夠在高電壓�(huán)境下運行,同時提供快速的開關速度,非常適合需要高性能和高可靠性的應用場景�

參數

額定電壓�100V
  最大電流:25A
  導通電阻:6mΩ
  柵極電荷�30nC
  開關頻率:最高可� 5MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

CRSZ025N10N 具有以下關鍵特性:
  1. 高效� GaN 技術,帶來更低的導通損耗和開關損��
  2. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有效減少功率損��
  3. 快速開關能�,支持高頻操�,適合開關電源和 DC-DC 轉換器�
  4. 高耐壓能力,能夠在 100V 的額定電壓下�(wěn)定運行�
  5. 寬溫度范圍適應�,適用于極端�(huán)境下的工�(yè)和汽車應用�
  6. 提供卓越的熱性能,確保長期可靠性�

應用

CRSZ025N10N 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
  2. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率轉換模塊�
  3. 電動車輛 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的車載充電器及電機驅動器�
  4. 射頻功率放大器和通信設備�
  5. 工業(yè)自動化設備和機器人中的電源管理系�(tǒng)�
  6. 高效 LED 驅動器和 UPS 系統(tǒng)�

替代型號

CRSZ050N10N
  CRSZ025N06N

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