CRST065N08N是一款基于碳化硅(SiC)技�(shù)的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等場景。該器件具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合需要高效能和高溫操作的�(yīng)用環(huán)境�
該器件采用了先進的溝槽�(jié)�(gòu)�(shè)�,從而在保持較低導通損耗的同時實現(xiàn)快速開�(guān)性能。它還具備較高的雪崩耐量,能夠在極端條件下提供更高的可靠��
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流�65A
導通電阻:15mΩ
柵極電荷�90nC
開關(guān)速度:超高�
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
封裝類型:TO-247-3
1. 極低的導通電阻,能夠顯著降低功率損��
2. 高額定電壓(800V�,適用于高壓系統(tǒng)�
3. 超快的開�(guān)速度,支持高頻工作場��
4. 出色的熱�(wěn)定性,允許在高�175℃的工作溫度下運行�
5. �(nèi)置反向二極管功能,簡化電路設(shè)計�
6. 較高的雪崩擊穿能�,增強器件的耐用性和可靠性�
1. 太陽能逆變器和風能�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
2. 電動車充電站和車載充電器�
3. 工業(yè)電機�(qū)動和伺服控制器�
4. 不間斷電源(UPS)和高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. 高壓電源模塊和PFC(功率因�(shù)校正)電路�
6. 激光切割設(shè)備和焊接機等工業(yè)�(shè)備中的電源管理部��
CRST065N06L, CRST080N08N, CRST050N08N