CRST055N08N 是一� N 溝道增強� MOSFET,采用先進的制造工藝設(shè)�,具有低導通電阻和快速開�(guān)性能。這款器件適用于需要高效率和高性能的電源管理應用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)和電機驅(qū)動等場景�
該器件采用了 TO-252 封裝形式,能夠提供出色的散熱性能和緊湊的布局�(shè)�,適合對空間要求較高的應用場合�
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�5.5A
導通電阻:35mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�4.5nC(典型值)
開關(guān)時間:開啟延遲時� 10ns,關(guān)斷延遲時� 16ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
CRST055N08N 提供了卓越的電氣性能,包括低導通電阻和高效率的開關(guān)能力。其主要特點如下�
1. 極低� Rds(on) 確保了在大電流條件下的低功��
2. 快速的開關(guān)速度減少了開�(guān)損�,非常適合高頻應��
3. 高度可靠的封裝形式提高了長期使用的穩(wěn)定性�
4. 寬工作溫度范圍使其可以在各種惡劣�(huán)境下運行�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
這款 MOSFET 主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流和功率轉(zhuǎn)��
2. 各類負載開關(guān)和保護電��
3. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制�
4. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動和逆變��
5. 消費類電子產(chǎn)品的適配器和充電器設(shè)��
IRF540N, AO3400A