CRSQ036N10N是一款基于碳化硅(SiC)技術的MOSFET功率晶體�,專為高電壓、高頻開關應用設�。該器件采用先進的溝槽工藝制�,具備較低的導通電阻和快速開關特�,非常適合于開關電源、電機驅(qū)動器、逆變器以及太陽能逆變器等高效能系�(tǒng)�
CRSQ036N10N在性能上優(yōu)于傳�(tǒng)硅基MOSFET,具有更高的效率和更低的損�,同時能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行。由于其�(yōu)異的熱特性和電氣性能,這款器件廣泛應用于各種工�(yè)和汽車領��
類型:MOSFET
材料:碳化硅(SiC�
耐壓值:1000V
導通電阻:36mΩ
最大漏極電流:20A
柵極電荷�85nC
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247
CRSQ036N10N的核心優(yōu)勢在于其采用碳化硅材�,這使得它能夠提供卓越的性能表現(xiàn)�
1. 高電壓承受能力:高達1000V的耐壓�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定��
2. 低導通電阻:36毫歐的導通電阻極大地減少了傳導損�,提高了整體效率�
3. 快速開關速度:得益于低柵極電荷和�(yōu)化的設計,開關時間更�,適合高頻應��
4. 耐高溫能力:支持最�175℃的�(jié)�,適應苛刻的工作條件�
5. 高可靠性:通過嚴格的測試流�,保證長期使用的�(wěn)定��
這些特性共同賦予了CRSQ036N10N出色的功率密度和能源�(zhuǎn)換效率,成為�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)的理想選��
CRSQ036N10N主要應用于需要高效能、高可靠性的場景,具體包括:
1. 開關電源(SMPS�
2. 電動車輛(EV/HEV)的逆變�
3. 太陽能逆變�
4. 工業(yè)電機�(qū)�
5. 不間斷電源(UPS�
6. �. LED照明�(qū)動器
由于其優(yōu)越的電氣性能和熱管理能力,這款器件尤其適合對效率和緊湊性有嚴格要求的應用場合�
CRSQ040N10N, CRSQ050N10N