CRSM027N08N4 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能,適用于工業(yè)電源、太�(yáng)能逆變器、電�(dòng)汽車(chē)充電�(shè)備以及其他高壓高頻應(yīng)用場(chǎng)��
作為 SiC MOSFET 的一員,CRSM027N08N4 提供了顯著優(yōu)于傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的電氣性能,在硬開(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�(yīng)用中均表�(xiàn)出色,能夠幫助設(shè)�(jì)人員�(shí)�(xiàn)更小體積、更高效率和更可靠的�(chǎn)��
額定電壓�800V
額定電流�27A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�120nC
反向恢復(fù)�(shí)間:5ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
CRSM027N08N4 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻工�,可減小�(wú)源元件的尺寸�
3. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,延�(zhǎng)器件壽命�
4. �(nèi)置反并聯(lián)二極�,具備零反向恢復(fù)特�,降低開(kāi)�(guān)噪聲�
5. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)系統(tǒng)在異常情況下的魯棒��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
此外,該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),�(jìn)一步優(yōu)化了散熱性能與電氣連接可靠��
CRSM027N08N4 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高可靠性的�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)電源�(zhuǎn)換系�(tǒng),如 UPS 和電�(jī)�(qū)�(dòng)�
2. 太陽(yáng)能逆變�,用于最大化光伏系統(tǒng)的能源輸��
3. 電動(dòng)汽車(chē)充電�,支持快速充電和緊湊�(shè)�(jì)�
4. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS),提供更高的功率密度和更低的能耗�
5. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于汽�(chē)電子和通信基礎(chǔ)�(shè)施�
由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn),CRSM027N08N4 成為�(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)中的理想選擇�
CRSM030N08N4
CRSM025N08N4