CRM50TB02R1是一款高性能的MOSFET晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
其封裝形式通常為TO-220,適合表面貼裝或通孔安裝,具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:2mΩ
總功耗:175W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
CRM50TB02R1的核心特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2mΩ�,可有效降低功率損耗�
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻電路�(huán)��
3. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持性能�
4. �(nèi)置ESD保護(hù),增�(qiáng)器件的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該器件主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器及逆變器�
4. 充電器和適配器設(shè)�(jì)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
CRM50TB02R2, IRF540N, FDP5800