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CRJT190N65GCF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 10:42:57 查看 閱讀:35

CRJT190N65GCF是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì),具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。該器件適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景,如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等。它屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,耐壓高達(dá)650V,能夠滿足多種高壓電路的需求。
  該型號(hào)中的“CRJT”代表了系列名稱,“190”表示最大導(dǎo)通電阻值(在特定條件下的典型值),“N65”表明其為N溝道且額定電壓為650V,“GCF”則與封裝類型和內(nèi)部結(jié)構(gòu)相關(guān)。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流:28A
  最大柵源電壓:±20V
  導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=10V):190mΩ
  總柵極電荷:75nC
  輸入電容:1200pF
  反向恢復(fù)時(shí)間:35ns
  結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃

特性

1. 高擊穿電壓(650V),適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
  2. 超低導(dǎo)通電阻(Rds(on)僅為190mΩ),顯著降低傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開(kāi)關(guān)性能,優(yōu)化了動(dòng)態(tài)損耗。
  4. 內(nèi)置雪崩能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
  5. 采用TO-247封裝,具有良好的散熱性能。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
  7. 廣泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠性。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
  2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的逆變器橋臂。
  3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
  5. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 各種AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器。
  7. 電動(dòng)工具和其他便攜式設(shè)備的功率控制單元。

替代型號(hào)

IRFP260N
  STW118N65MD
  FDP18N65
  IXFN120N65T
  CSSP100N65S3

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