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CR2050HR+HBB-T66 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 4:56:12 查看 閱讀:5

CR2050HR HBB-T66是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)電路中。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度,能夠顯著提高效率并減少功耗。
  該MOSFET適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,例如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等。其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多設(shè)計(jì)中的理想選擇。

參數(shù)

類(lèi)型:增強(qiáng)型N溝道MOSFET
  最大漏源電壓Vds:60V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  連續(xù)漏極電流Id:14A(@25°C)
  導(dǎo)通電阻Rds(on):4.5mΩ(@Vgs=10V)
  柵極電荷Qg:38nC
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=15ns,toff=12ns
  工作溫度范圍:-55°C至+175°C
  封裝形式:TO-263

特性

CR2050HR HBB-T66的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  3. 良好的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
  4. 較高的雪崩能力和魯棒性,增強(qiáng)了器件的耐用性和可靠性。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
  6. 提供了寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的使用需求。
  這些特性使得CR2050HR HBB-T66在需要高效功率轉(zhuǎn)換和可靠運(yùn)行的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

應(yīng)用

CR2050HR HBB-T66可以應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路中的開(kāi)關(guān)元件。
  3. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
  5. DC/DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流器。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  由于其優(yōu)異的性能,CR2050HR HBB-T66在消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備以及汽車(chē)電子等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用。

替代型號(hào)

CR2050HRA HBB-T66, CR2050HRB HBB-T66