CMP201209UD1R8MT 是一款由 CREE(現(xiàn)� Wolfspeed)生�(chǎn)的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片。該芯片采用先�(jìn)� SiC 技�(shù),具有高效率、高開關(guān)頻率和高溫穩(wěn)定性等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換器、逆變�、電源管理系�(tǒng)以及其他高功率電子設(shè)備中�
這款芯片基于溝槽柵極�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),可�(shí)�(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更少的能量損�。其封裝形式緊湊,適合對空間有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場��
型號:CMP201209UD1R8MT
類型:MOSFET
材料:碳化硅 (SiC)
漏源電壓 (Vds)�1200 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�20 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�1.8 mΩ
柵極電荷 (Qg)�95 nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 1 MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝:DPAK 封裝
CMP201209UD1R8MT 具有以下顯著特性:
1. 高效率:得益于碳化硅材料的低�(dǎo)通電阻和低開�(guān)損耗特性,能夠在高頻應(yīng)用中提供更高的效��
2. 高溫性能:支持最高達(dá) 175� 的結(jié)溫運(yùn)�,適用于高溫�(huán)境下的功率系�(tǒng)�
3. 快速開�(guān)能力:具有非常低的柵極電荷,能夠以較高的頻率�(yùn)�,從而減小無源元件的尺寸�
4. 緊湊型封裝:DPAK 封裝�(shè)�(jì)使得該器件在有限的空間內(nèi)�(shí)�(xiàn)高性能�
5. 可靠性:通過�(yán)格的測試和驗(yàn)證流程,確保在惡劣條件下仍能保持�(wěn)定運(yùn)��
6. 廣泛的工作電壓范圍:支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓,適應(yīng)多種高電壓應(yīng)用場��
CMP201209UD1R8MT 芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 太陽能逆變器:由于其高效率和高頻性能,非常適合用于太陽能�(fā)電系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
2. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV):可用于車載充電� (OBC) 和牽引逆變器中,提供高可靠性和高效��
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中,用于各種電�(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),提供精確控制和節(jié)能效��
4. 不間斷電� (UPS):在需要高�(wěn)定性和快速響�(yīng)� UPS 系統(tǒng)中發(fā)揮重要作��
5. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器:利用其快速開�(guān)能力,縮小磁性元件體�,提高功率密��
CMF20120D, C3M0020120D