CKC21X123FDGACAUTO是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于汽�(chē)電子系統(tǒng)中的�(kāi)�(guān)和電源管理應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高電流承載能力和出色的熱性能,能夠滿(mǎn)足汽�(chē)�(huán)境中�(yán)苛的工作條件�
這款芯片廣泛�(yīng)用于�(chē)載DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�,為系統(tǒng)的高效運(yùn)行提供保��
�(lèi)型:功率MOSFET
封裝:D2PAK
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4mΩ
ID(持�(xù)漏極電流):120A
Qg(柵極電荷)�55nC
fT(特征頻率)�2.7MHz
VGS(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2.2V
功耗:150W
CKC21X123FDGACAUTO具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,支持大功率�(yīng)��
3. 符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),確保在汽車(chē)�(huán)境下的可靠性和�(wěn)定性�
4. �(qiáng)大的抗靜電能力(ESD�,保�(hù)芯片免受靜電損害�
5. �(yōu)秀的熱性能�(shè)�(jì),有助于散熱并維持長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定工作�
6. 小型化封�,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
7. 支持寬范圍的工作溫度�-55°C�+175°C�,適�(yīng)極端�(huán)境條件�
該芯片適用于以下�(yīng)用領(lǐng)域:
1. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. �(chē)載充電器和逆變��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電��
4. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)�(jí)電源模塊及配電系�(tǒng)�
6. LED照明�(qū)�(dòng)電路�
7. 可再生能源發(fā)電設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元�
IRF540N
STP120NF60
AO3400A