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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CHMP830JGP

CHMP830JGP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/20 9:32:07 查看 閱讀�46

CHMP830JGP是一款基于硅材料制造的高壓MOSFET功率晶體�,主要用于高電壓和高效率的應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝,優(yōu)化了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,同�(shí)具備較低的柵極電荷特�,有助于減少系統(tǒng)功耗并提高整體效率�
  CHMP830JGP屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,其額定電壓高達(dá)800V,適用于各種電力電子�(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。此�,該器件具有出色的雪崩擊穿能力和熱穩(wěn)定性,確保在惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)��

參數(shù)

類型:P溝道增強(qiáng)型MOSFET
  額定電壓�800V
  最大漏源電流:-3.2A(@25℃)
  �(dǎo)通電阻:700mΩ(典型�,@Vgs=-10V�
  柵極電荷�14nC(典型值)
  輸入電容�160pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220FP

特�

1. 高耐壓能力�800V�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),降低功率損�,提升效率�
  3. 較小的柵極電�,改善開(kāi)�(guān)性能,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. �(qiáng)大的雪崩擊穿能力,提高系�(tǒng)的可靠��
  5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種工作�(huán)��
  6. 采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220FP封裝,便于安裝與散熱�(shè)�(jì)�
  7. 熱穩(wěn)定性出色,保證�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中作為主開(kāi)�(guān)管或同步整流管使��
  2. 用于電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(fù)載控制和方向切換�
  3. 在逆變器系�(tǒng)中提供高效的功率�(zhuǎn)換功��
  4. 各類家用電器如空�(diào)、洗衣機(jī)等產(chǎn)品內(nèi)的高壓開(kāi)�(guān)元件�
  5. 工業(yè)�(shè)備中的高壓負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  6. LED照明�(qū)�(dòng)電路中的功率�(diào)節(jié)組件�

替代型號(hào)

1. IRF7413:同樣為P溝道MOSFET,但電壓等級(jí)略低,為600V�
  2. FQP18N80:N溝道MOSFET,適用于需要N溝道替代的場(chǎng)合,額定電壓�800V�
  3. STP36PF80:P溝道MOSFET,額定電�800V,但漏源電流稍大,為-4.9A�
  4. IXTH8N80P:P溝道MOSFET,具備相似的電氣參數(shù),可用于某些直接替換�(chǎng)��

chmp830jgp推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)