CHMP830JGP是一款基于硅材料制造的高壓MOSFET功率晶體�,主要用于高電壓和高效率的應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝,優(yōu)化了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,同�(shí)具備較低的柵極電荷特�,有助于減少系統(tǒng)功耗并提高整體效率�
CHMP830JGP屬于P溝道增強(qiáng)型MOSFET,其額定電壓高達(dá)800V,適用于各種電力電子�(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。此�,該器件具有出色的雪崩擊穿能力和熱穩(wěn)定性,確保在惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)��
類型:P溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓�800V
最大漏源電流:-3.2A(@25℃)
�(dǎo)通電阻:700mΩ(典型�,@Vgs=-10V�
柵極電荷�14nC(典型值)
輸入電容�160pF(典型值)
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220FP
1. 高耐壓能力�800V�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),降低功率損�,提升效率�
3. 較小的柵極電�,改善開(kāi)�(guān)性能,減少開(kāi)�(guān)損��
4. �(qiáng)大的雪崩擊穿能力,提高系�(tǒng)的可靠��
5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種工作�(huán)��
6. 采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220FP封裝,便于安裝與散熱�(shè)�(jì)�
7. 熱穩(wěn)定性出色,保證�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中作為主開(kāi)�(guān)管或同步整流管使��
2. 用于電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(fù)載控制和方向切換�
3. 在逆變器系�(tǒng)中提供高效的功率�(zhuǎn)換功��
4. 各類家用電器如空�(diào)、洗衣機(jī)等產(chǎn)品內(nèi)的高壓開(kāi)�(guān)元件�
5. 工業(yè)�(shè)備中的高壓負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
6. LED照明�(qū)�(dòng)電路中的功率�(diào)節(jié)組件�
1. IRF7413:同樣為P溝道MOSFET,但電壓等級(jí)略低,為600V�
2. FQP18N80:N溝道MOSFET,適用于需要N溝道替代的場(chǎng)合,額定電壓�800V�
3. STP36PF80:P溝道MOSFET,額定電�800V,但漏源電流稍大,為-4.9A�
4. IXTH8N80P:P溝道MOSFET,具備相似的電氣參數(shù),可用于某些直接替換�(chǎng)��