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CGA9N3X7S2A106KT0Y0N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 11:46:42 查看 閱讀：10

CGA9N3X7S2A106KT0Y0N 是一款由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)的高性能存儲(chǔ)芯片，主要應(yīng)用于需要高容量和快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)的場(chǎng)景。該型號(hào)屬于 NAND Flash 存儲(chǔ)器系列，采用先進(jìn)的制造工藝，支持高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和高效的讀寫操作。
　　這款芯片通常用于固態(tài)硬盤（SSD）、嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案中。其設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)和低功耗的需求。

參數(shù)

容量：512GB
　　接口類型：PCIe NVMe
　　工作電壓：1.8V
　　封裝形式：BGA
　　存儲(chǔ)技術(shù)：3D TLC NAND
　　頁(yè)大�。�16KB
　　擦寫壽命：3000次
　　數(shù)據(jù)保留時(shí)間：1年（在105°C下）
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　待機(jī)功耗：2mW
　　讀取速度：2000MB/s
　　寫入速度：1500MB/s

特性

CGA9N3X7S2A106KT0Y0N 具備卓越的性能和可靠性。它采用了 3D TLC NAND 技術(shù)，相比傳統(tǒng)平面 NAND 提供了更高的存儲(chǔ)密度和更低的每比特成本。
　　該芯片內(nèi)置 ECC（錯(cuò)誤檢查與糾正）功能，能夠有效提升數(shù)據(jù)完整性，并延長(zhǎng)存儲(chǔ)介質(zhì)的使用壽命。
　　此外，它支持多種高級(jí)功能，如磨損均衡、壞塊管理以及智能電源管理，確保設(shè)備在各種環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　其 PCIe NVMe 接口提供了極高的數(shù)據(jù)傳輸速率，適合需要快速響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景，例如云計(jì)算、人工智能和大數(shù)據(jù)分析等。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB 閃存盤、存儲(chǔ)卡、工業(yè)計(jì)算機(jī)、嵌入式系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。
　　在消費(fèi)市場(chǎng)，它可以作為智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦的存儲(chǔ)解決方案。
　　在工業(yè)領(lǐng)域，它適用于需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的設(shè)備，如監(jiān)控系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備和自動(dòng)化控制系統(tǒng)。
　　此外，由于其高性能和低功耗特性，CGA9N3X7S2A106KT0Y0N 還被廣泛用于邊緣計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中。

替代型號(hào)

CGA9N3X7S2A106KT0Y1N
　　CGA9N3X7S2A106KT0Z0N
　　CGA9N3X7S2A106KT1Y0N

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