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CGA6P1C0G3A223JT0Y0N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 20:29:58 查看 閱讀�10

CGA6P1C0G3A223JT0Y0N 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻率和高效率的電力電子�(shè)備中。該型號采用增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)技�(shù),能夠顯著提高開�(guān)速度并降低導(dǎo)通電�,從而提升系�(tǒng)性能�
  此芯片適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備、激光雷�(dá)(LiDAR)驅(qū)�(dòng)電路以及其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場��

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體�
  材料:氮化鎵(GaN�
  最大漏源電壓(Vds):600V
  最大柵極源極電壓(Vgs):±8V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
  連續(xù)漏極電流(Id):22A
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

CGA6P1C0G3A223JT0Y0N 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力。其氮化鎵基材使其能夠在高頻條件下保持較低的功�,并且支持更小的磁性元件設(shè)�(jì)以減少整體系�(tǒng)體積�
  此外,這款器件具有出色的熱�(wěn)定性和可靠性,可以承受較高的結(jié)溫而不影響性能。內(nèi)置的ESD保護(hù)�(jī)制�(jìn)一步增�(qiáng)了芯片在�(shí)際應(yīng)用中的魯棒�。這種晶體管還具備零反向恢�(fù)電荷(Qrr),從而減少了開關(guān)損耗并提升了效��

�(yīng)�

該元器件適用于多種領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
  2. 圖形處理器(GPU)和中央處理器(CPU)供電模�
  3. 激光雷�(dá)(LiDAR)驅(qū)�(dòng)電路
  4. 無線充電�(fā)射端和接收端
  5. 太陽能微型逆變�
  6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  7. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)單元(PSU�

替代型號

CGA6P1C0G3A22AJT0Y0N
  CGA6P1C0G3A22BJT0Y0N
  CGA6P1C0G3A22CJT0Y0N

cga6p1c0g3a223jt0y0n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)