CGA6P1C0G3A223JT0Y0N 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻率和高效率的電力電子�(shè)備中。該型號采用增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)技�(shù),能夠顯著提高開�(guān)速度并降低導(dǎo)通電�,從而提升系�(tǒng)性能�
此芯片適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備、激光雷�(dá)(LiDAR)驅(qū)�(dòng)電路以及其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場��
類型:增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵極源極電壓(Vgs):±8V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
連續(xù)漏極電流(Id):22A
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� � +175�
CGA6P1C0G3A223JT0Y0N 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力。其氮化鎵基材使其能夠在高頻條件下保持較低的功�,并且支持更小的磁性元件設(shè)�(jì)以減少整體系�(tǒng)體積�
此外,這款器件具有出色的熱�(wěn)定性和可靠性,可以承受較高的結(jié)溫而不影響性能。內(nèi)置的ESD保護(hù)�(jī)制�(jìn)一步增�(qiáng)了芯片在�(shí)際應(yīng)用中的魯棒�。這種晶體管還具備零反向恢�(fù)電荷(Qrr),從而減少了開關(guān)損耗并提升了效��
該元器件適用于多種領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
2. 圖形處理器(GPU)和中央處理器(CPU)供電模�
3. 激光雷�(dá)(LiDAR)驅(qū)�(dòng)電路
4. 無線充電�(fā)射端和接收端
5. 太陽能微型逆變�
6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
7. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)單元(PSU�
CGA6P1C0G3A22AJT0Y0N
CGA6P1C0G3A22BJT0Y0N
CGA6P1C0G3A22CJT0Y0N