型號：CGA3E2NP02A181J080AA
　　品牌：Vishay
　　類型：N溝道 MOSFET
　　Vds（漏源極電壓）：60V
　　Rds(on)（導通電阻）：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V時）
　　Id（連續(xù)漏極電流）：149A
　　Qg（柵極電荷）：40nC
　　Eoss（輸出電容能量損耗）：75nJ
　　Pd（總功耗）：205W
　　封裝：PowerPAK? 8x8

CGA3E2NP02A181J080AA 提供了非常低的導通電阻 Rds(on)，這使其在大電流應用中具有極高的效率。TrenchFET 第三代技術(shù)顯著降低了導通損耗和開關(guān)損耗。
　　該器件的高 Id 值和低 Qg 值非常適合高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流應用。此外，PowerPAK? 8x8 封裝提供了出色的熱性能，允許更高的功率密度。
　　它還具有快速開關(guān)能力，適合要求嚴格的工業(yè)電源、電機驅(qū)動和電信設備中的功率轉(zhuǎn)換任務。
　　由于其優(yōu)異的電氣特性和熱管理能力，這款 MOSFET 能夠在極端工作條件下保持穩(wěn)定運行。

CGA3E2NP02A181J080AA 主要應用于以下領(lǐng)域：
　　1. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　2. 同步整流電路
　　3. 服務器和通信電源
　　4. 工業(yè)電機控制
　　5. 太陽能逆變器
　　6. 電動車輛（EV/HEV）中的電池管理系統(tǒng)
　　7. 開關(guān)模式電源（SMPS）
　　這些應用場景均需要高效率、低功耗以及可靠的功率管理，而這正是 CGA3E2NP02A181J080AA 的強項。

CGA3E2NP02A181J080GA, IRFHG30N06L, FDP16N06L