時間：2025/5/30 18:19:21
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CGA3E2C0G2A3R3C080AA 是一款由知名制造商推出的高效能功率 MOSFET 芯片，廣泛應用于電源管理、開關電路以及工業(yè)驅(qū)動領域。該芯片基于先進的半導體工藝制造，具有較低的導通電阻和出色的開關性能，能夠在高電流和高頻應用中提供卓越的效率和可靠性。
其封裝形式為行業(yè)標準的表面貼裝封裝，適合自動化生產(chǎn)和高密度設計需求。此外，該器件還具備良好的熱特性和靜電防護能力，使其成為許多高性能系統(tǒng)設計的理想選擇。
型號：CGA3E2C0G2A3R3C080AA
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：140A
導通電阻(Rds(on))：1.5mΩ
總功耗(Ptot)：250W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247-3
CGA3E2C0G2A3R3C080AA 的主要特性包括低導通電阻（僅 1.5mΩ），能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同時，該器件支持高達 140A 的連續(xù)漏極電流，適用于大電流應用場景。
此外，它還具備快速開關能力和較低的柵極電荷（Qg），有助于減少開關損耗并在高頻條件下保持高效運行。在熱管理方面，該芯片通過優(yōu)化的封裝設計實現(xiàn)了高效的散熱性能，從而增強了整體的可靠性和穩(wěn)定性。
由于其寬泛的工作溫度范圍（-55℃ 至 +175℃），CGA3E2C0G2A3R3C080AA 可以適應各種嚴苛環(huán)境下的應用需求。并且，其內(nèi)置的 ESD 防護功能進一步提高了產(chǎn)品的抗干擾能力。
這款功率 MOSFET 主要用于需要高效率和大電流處理能力的應用場景，例如工業(yè)電機驅(qū)動、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動汽車牽引逆變器以及其他高性能開關電源解決方案。
在這些應用中，CGA3E2C0G2A3R3C080AA 的低導通電阻和快速開關特性可以幫助實現(xiàn)更小的體積設計和更高的能量轉(zhuǎn)換效率，同時其強大的電流承載能力和寬溫工作范圍也確保了系統(tǒng)的長期穩(wěn)定運行。
CGA3E2C0G2A3R3C090AA
IRFP2907
FDP177N06L
