CGA3E2C0G1H060D080AD 是一款高性能� GaN(氮化鎵)功率晶體管,基于增強型場效應晶體管技術設�。該器件采用了先進的封裝工藝,具備低導通電阻和高開關頻率的特點,適用于高頻高效電源�(zhuǎn)換場景,如開關電�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及無線充電設備�。其出色的性能參數(shù)使其成為新一代高效能功率電子應用的理想選��
這款芯片利用� GaN 材料的獨特優(yōu)�,如高電子遷移率和高擊穿電場強度,從而顯著提升了功率密度和系�(tǒng)效率。同�,它還支持極低的寄生電感和快速的開關特性,有助于減少能量損耗并�(yōu)化整體設��
型號:CGA3E2C0G1H060D080AD
類型:GaN 功率晶體�
最大漏源電壓:600 V
最大連續(xù)漏極電流�80 A
導通電阻:4.5 mΩ(典型值)
柵極電荷�125 nC(典型值)
反向恢復電荷:無(零反向恢復�
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
CGA3E2C0G1H060D080AD 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:最大漏源電壓高� 600V,能夠承受高壓工作環(huán)�,適合工�(yè)級和汽車級應用�
2. 極低導通電阻:典型值僅� 4.5mΩ,有效降低了導通損�,提升了整體效率�
3. 快速開關性能:得益于 GaN 技�,開關速度遠高于傳�(tǒng)硅基 MOSFET,減少了開關損��
4. 零反向恢復電荷:消除了傳�(tǒng)二極管中常見的反向恢復問題,進一步提升了系統(tǒng)效率�
5. 寬溫度范圍:能夠� -55°C � +175°C 的極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運行,適應多種惡劣�(huán)境�
6. 小尺寸封裝:采用 TO-247-4L 封裝,便于散熱且易于集成到現(xiàn)有電路板設計��
7. �(huán)保材料:符合 RoHS 標準,不含有害物�(zhì),對�(huán)境友��
CGA3E2C0G1H060D080AD 主要應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS):在高效� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中發(fā)揮重要作用�
2. 電動車充電系�(tǒng):支持快速充電站中的高頻高效功率�(zhuǎn)��
3. 工業(yè)電機�(qū)動:用于高性能變頻�(qū)動器和伺服控制器�
4. 太陽能逆變器:提高光伏系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率�
5. 無線充電設備:實�(xiàn)更高效的非接觸式能量傳輸�
6. �(shù)�(jù)中心電源:為服務器和�(wǎng)絡設備提供可靠且高效的供電方��
CGA3E2C0G1H060D080AE, CGA3E2C0G1H060D080AF