時間：2025/5/29 2:48:10
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CGA2B2NP01H821J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應用于電源管理、電機驅動和工業(yè)控制等領域。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
型號：CGA2B2NP01H821J050BA
類型：N-Channel MOSFET
封裝：TO-247
最大漏源電壓(Vds)：650V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：36A
導通電阻(Rds(on))：0.045Ω
總柵極電荷(Qg)：90nC
功耗(Ptot)：225W
工作溫度范圍：-55℃ to 175℃
CGA2B2NP01H821J050BA 具有以下顯著特性：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on)) 可以減少傳導損耗，適用于高電流應用。
2. 高雪崩能力增強了器件在過載條件下的耐用性。
3. 快速開關性能有助于降低開關損耗，從而提高整體效率。
4. 提供卓越的熱性能，支持長時間穩(wěn)定運行。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且適合多種工業(yè)環(huán)境需求。
6. 封裝設計堅固，可承受較大的機械應力和惡劣的工作環(huán)境。
該芯片主要應用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中的功率轉換。
2. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅動。
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率管理。
4. 不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)中的功率調節(jié)。
5. 電池充電器及保護電路中作為開關元件使用。
CGA2B2NP01H821J050BB, CGA2B2NP01H821J050BC
