CGA2B2C0G1H681J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景。其封裝形式緊湊,能夠有效降低系統(tǒng)熱阻并提高整體性能。
類(lèi)型:功率 MOSFET
耐壓:60V
連續(xù)漏極電流:140A
導(dǎo)通電阻:0.75mΩ
柵極電荷:120nC
開(kāi)關(guān)速度:超快
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝:D2PAK(TO-263)
CGA2B2C0G1H681J050BA 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和優(yōu)化的柵極電荷 (Qg),從而顯著減少導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
此外,它還具有以下優(yōu)勢(shì):
1. 高效的散熱性能,適合高功率密度應(yīng)用。
2. 強(qiáng)大的過(guò)流能力和短路保護(hù)機(jī)制。
3. 快速開(kāi)關(guān)特性使其非常適合高頻工作環(huán)境。
4. 緊湊型封裝有助于簡(jiǎn)化 PCB 布局并節(jié)省空間。
5. 寬廣的工作溫度范圍確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
這款功率 MOSFET 主要應(yīng)用于需要高效能源轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域,例如:
1. 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 的電機(jī)控制器。
2. 工業(yè)級(jí) DC-DC 轉(zhuǎn)換器及開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)。
3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率調(diào)節(jié)模塊。
4. 高端音頻放大器和負(fù)載切換電路。
5. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)和 UPS 系統(tǒng)。
由于其出色的性能表現(xiàn),CGA2B2C0G1H681J050BA 成為眾多工程師在設(shè)計(jì)大電流、高效率系統(tǒng)的首選元件。
CGA2B2C0G1H6>CGA2B2C0G1H681J050BC
IRF7739
FDP15N60E