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CGA2B2C0G1H1R5CT0Y0F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 19:04:28 查看 閱讀�11

CGA2B2C0G1H1R5CT0Y0F 是一款高性能的工�(yè)�(jí) NAND Flash 存儲(chǔ)芯片,廣泛應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、數(shù)�(jù)記錄�(shè)備和固態(tài)存儲(chǔ)解決方案�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備高可靠性和大容量存�(chǔ)能力。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了讀�(xiě)速度和功耗表�(xiàn),非常適合需要長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行和�(wěn)定性的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

容量�2GB
  接口�(lèi)型:Async
  工作電壓(Vcc)�2.7V � 3.6V
  核心電壓(Vccq)�1.65V � 1.95V
  �(shù)�(jù)傳輸速率�40 MB/s(最大值)
  擦寫(xiě)次數(shù)�3000 次(典型值)
  �(shù)�(jù)保存�(shí)間:10 年(� 25°C 下)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TSOP-48

特�

CGA2B2C0G1H1R5CT0Y0F 具有以下主要特性:
  1. 高密度存�(chǔ):提供高�(dá) 2GB 的存�(chǔ)容量,適合各種數(shù)�(jù)密集型應(yīng)��
  2. 快速數(shù)�(jù)訪問(wèn):優(yōu)化的架構(gòu)使其能夠?qū)崿F(xiàn)快速的�(shù)�(jù)讀�(xiě)操作,確保高效性能�
  3. 可靠性:通過(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保芯片在極端�(huán)境下的可靠��
  4. 耐用性:擦寫(xiě)次數(shù)高達(dá) 3000 �,適合頻繁寫(xiě)入的�(yīng)用場(chǎng)景�
  5. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)和活�(dòng)模式下均保持較低的功�,延�(zhǎng)�(shè)備續(xù)航時(shí)��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -40°C � +85°C 的工�(yè)�(jí)溫度范圍,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�

�(yīng)�

這款 NAND Flash 芯片適用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的數(shù)�(jù)記錄功能�
  2. 嵌入式系�(tǒng)的固件存�(chǔ)�
  3. �(yī)療設(shè)備中的日志記錄與患者數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  4. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)備的本地?cái)?shù)�(jù)緩存�
  5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的�(kuò)展存�(chǔ)模塊�
  6. �(chē)載娛�(lè)系統(tǒng)和導(dǎo)航設(shè)備中的存�(chǔ)單元�

替代型號(hào)

K9F1G08U0M, W25Q32BV, MX30LF2G18AC

cga2b2c0g1h1r5ct0y0f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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  • �(xún)�(jià)