CEP80N75是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于N溝道增強型器件。該芯片主要應用于開關電�、DC-DC轉換器、電機驅(qū)動和負載開關等領�。其設計特點在于能夠承受高電�,同時具備較低的導通電�,從而提升效率并減少功率損��
該器件采用了先進的制造工藝,確保在高溫和高頻工作�(huán)境下的穩(wěn)定�。此外,CEP80N75還具有快速開關速度和出色的熱性能,使其非常適合于需要高效能和高可靠性的應用場合�
最大漏源電壓:750V
連續(xù)漏極電流�80A
柵源電壓:�20V
導通電阻:0.18Ω
總功耗:350W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
CEP80N75的關鍵特性包括:
1. 高耐壓能力,額定漏源電壓高�750V,適用于高壓應用場景�
2. 低導通電阻(Rds(on))為0.18Ω,有助于降低導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開關速度,能夠有效減少開關損��
4. 強大的散熱性能,適合長時間�(wěn)定運��
5. 寬工作溫度范�,從-55°C�+175°C,確保在極端�(huán)境下仍能保持性能�
6. 具備良好的抗靜電能力和可靠性,適合工業(yè)級應��
這些特性使得CEP80N75成為高壓大電流應用的理想選擇,尤其是在電力電子領��
CEP80N75廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 逆變�
4. 電機�(qū)�
5. UPS不間斷電�
6. 工業(yè)控制設備
7. 太陽能逆變�
8. 負載開關
由于其高耐壓和大電流能力,這款器件特別適合要求高效率和高可靠性的電力電子應用�
IRFP260N, STP80NF75, FDP18N75C