CEP02N6G 是一� N 灃道� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采� TO-252 封裝。這款器件廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場景中,其主要功能是作為高效的電子開關(guān)或放大器來使��
該型號的 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻:0.17歐姆
柵極電荷�9nC
總電容:420pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
CEP02N6G 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�,提高整體能��
2. 快速開�(guān)速度,使其非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
5. 可靠性高,在各種惡劣�(huán)境下依然保持�(wěn)定性能�
CEP02N6G 常用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的功率�(zhuǎn)換電路�
2. 電池管理系統(tǒng)的保護電��
3. 各類電機�(qū)動控制電路�
4. 負載開關(guān)及固�(tài)繼電��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級控制部分�
IRFZ44N
FDP5800
BST088