CDR34BX333BKZPAT 是一款由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)的高性能功率 MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠在高頻工作條件下提供高效的功率轉(zhuǎn)��
該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 類型,封裝形式為 TO-263(D2PAK�,能夠承受較高的電流和電�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了熱性能和電氣性能,使其非常適合工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用中的高效率需求場(chǎng)景�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:220pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:TO-263(D2PAK�
CDR34BX333BKZPAT 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下僅� 2.5mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,得益于其較小的柵極電荷和輸出電�,適合高頻應(yīng)用�
3. 高電流承載能�,支持高�(dá) 33A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(fù)載需��
4. 寬工作溫度范�,從 -55� � +175�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
5. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化散熱性能,允許更高的功率密度和更小的整體解決方案尺寸�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗靜電能力,提升系�(tǒng)�(wěn)定��
CDR34BX333BKZPAT 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),如適配�、充電器和工�(yè)電源�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無刷電�(jī)(BLDC)或步�(jìn)電機(jī)�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器,適用于汽車電子、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)��
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率管理模塊�
5. 電動(dòng)工具和其他需要高功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)��
CDR34BX333AKZPAT, IRF3205, FDP55N06L