CDR34BX124AMZRAT 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,屬于碳化硅(SiC)材料制造的器件。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,特別適合用于高效率、高頻工作的電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。碳化硅材料的使用使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工作,并提供卓越的耐用性和可靠��
這款MOSFET主要面向工業(yè)�(shè)備、汽車電子以及可再生能源�(lǐng)�,例如太�(yáng)能逆變�、電�(dòng)汽車牽引逆變器等�
型號(hào):CDR34BX124AMZRAT
類型:N-Channel MOSFET
材料:SiC(碳化硅�
漏源電壓(Vdss)�1200V
連續(xù)漏電�(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�34mΩ
柵極電荷(Qg)�95nC
總功�(Ptot)�18W
工作溫度范圍�-55� to +175�
CDR34BX124AMZRAT 采用碳化硅技�(shù),因此具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以大幅減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷 (Qg),有助于降低開關(guān)損�,尤其在高頻條件下表�(xiàn)�(yōu)��
3. 高耐壓能力 (1200V),使其能夠勝任高壓環(huán)境下的應(yīng)��
4. 工作溫度范圍� (-55℃至+175�),適�(yīng)各種惡劣條件,包括高溫場(chǎng)景�
5. 具備出色的熱�(wěn)定性和耐用�,延�(zhǎng)使用壽命�
6. 小型化的封裝�(shè)�(jì)可以節(jié)省電路板空間,同�(shí)滿足高性能需��
CDR34BX124AMZRAT 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器,如服務(wù)器電�、通信基站電源��
2. 太陽(yáng)能光伏逆變�,幫助提升能量轉(zhuǎn)換效率�
3. 電動(dòng)車動(dòng)力系�(tǒng)中的牽引逆變�,支持高效電�(jī)控制�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和變速驅(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
5. 高頻軟開�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu),如LLC諧振變換器或PFC電路�
6. 其他需要高效率、高功率密度和高溫性能的場(chǎng)��
CDR34DX120AMZRAT, CDR34BX120AMZRAT