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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR34BX124AMZRAT

CDR34BX124AMZRAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 18:22:12 查看 閱讀�20

CDR34BX124AMZRAT 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,屬于碳化硅(SiC)材料制造的器件。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,特別適合用于高效率、高頻工作的電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。碳化硅材料的使用使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工作,并提供卓越的耐用性和可靠��
  這款MOSFET主要面向工業(yè)�(shè)備、汽車電子以及可再生能源�(lǐng)�,例如太�(yáng)能逆變�、電�(dòng)汽車牽引逆變器等�

參數(shù)

型號(hào):CDR34BX124AMZRAT
  類型:N-Channel MOSFET
  材料:SiC(碳化硅�
  漏源電壓(Vdss)�1200V
  連續(xù)漏電�(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�34mΩ
  柵極電荷(Qg)�95nC
  總功�(Ptot)�18W
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

CDR34BX124AMZRAT 采用碳化硅技�(shù),因此具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以大幅減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷 (Qg),有助于降低開關(guān)損�,尤其在高頻條件下表�(xiàn)�(yōu)��
  3. 高耐壓能力 (1200V),使其能夠勝任高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  4. 工作溫度范圍� (-55℃至+175�),適�(yīng)各種惡劣條件,包括高溫場(chǎng)景�
  5. 具備出色的熱�(wěn)定性和耐用�,延�(zhǎng)使用壽命�
  6. 小型化的封裝�(shè)�(jì)可以節(jié)省電路板空間,同�(shí)滿足高性能需��

�(yīng)�

CDR34BX124AMZRAT 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器,如服務(wù)器電�、通信基站電源��
  2. 太陽(yáng)能光伏逆變�,幫助提升能量轉(zhuǎn)換效率�
  3. 電動(dòng)車動(dòng)力系�(tǒng)中的牽引逆變�,支持高效電�(jī)控制�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和變速驅(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
  5. 高頻軟開�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu),如LLC諧振變換器或PFC電路�
  6. 其他需要高效率、高功率密度和高溫性能的場(chǎng)��

替代型號(hào)

CDR34DX120AMZRAT, CDR34BX120AMZRAT

cdr34bx124amzrat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR34
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.12 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)BX
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�R�0.01%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.059"�1.50mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-