CDR34BP622AKZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的制造工藝以確保其在高電壓和大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。該器件主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)控制等領(lǐng)域,能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能,從而有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于多種需要高效能電力轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)景。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:16A
導(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷:35nC
開(kāi)關(guān)速度:快速
封裝形式:TO-247
CDR34BP622AKZMAT具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)650V的最大漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的各種應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻(典型值為0.18Ω),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,得益于較低的柵極電荷(35nC),可以實(shí)現(xiàn)高頻工作,適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高速開(kāi)關(guān)的需求。
4. 強(qiáng)大的電流承載能力,連續(xù)漏極電流可達(dá)16A,確保在大電流負(fù)載下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠承受較高的結(jié)溫范圍,進(jìn)一步增強(qiáng)了器件的可靠性和壽命。
6. TO-247封裝形式,便于安裝和散熱設(shè)計(jì),適合高功率密度的應(yīng)用需求。
該芯片廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
5. 不間斷電源(UPS)
6. 太陽(yáng)能逆變器
這些應(yīng)用都依賴于CDR34BP622AKZMAT提供的高效率和可靠性,以滿足日益復(fù)雜的電力電子需求。
CDR34BP622AKZMAJ, CDR34BP622AKZMAP