類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓(V_DS)：70V
　　最大柵源電壓(V_GS)：±20V
　　最大漏極電流(I_D)：185A
　　導(dǎo)通電阻(R_DS(on))：4.7mΩ（在V_GS=10V條件下）
　　總功耗(P_TOT)：225W
　　結(jié)溫范圍(T_J)：-55℃至+175℃

CDR34BP472BFUS7185 具備以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高能效。
　　2. 快速的開關(guān)速度，適用于高頻操作環(huán)境。
　　3. 高浪涌電流能力，確保在異常情況下仍能穩(wěn)定工作。
　　4. 強(qiáng)大的熱性能設(shè)計(jì)，支持更高的功率密度。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　6. 小型封裝，節(jié)省PCB空間。

該器件適合多種應(yīng)用領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率級(jí)開關(guān)。
　　2. 同步整流電路的核心組件。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)或續(xù)流二極管替代方案。
　　4. 電動(dòng)工具及家電產(chǎn)品的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　5. 電池保護(hù)和負(fù)載切換功能實(shí)現(xiàn)。
　　6. 太陽(yáng)能逆變器以及其他新能源相關(guān)設(shè)備的構(gòu)建。

IRFZ44N
　　STP160N10F5
　　FDP15U20A
　　IXTH120N10T2