CDR34BP272BKZPAT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,屬� Cree 公司(現(xiàn)� Wolfspeed)的 C 系列 GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)。該器件采用常關(guān)型設(shè)�,適用于高頻和高效能的應用場�。其封裝形式為增強型 QFN 封裝,具有低寄生電感和良好的散熱性能�
這款晶體管廣泛應用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、無線充電設(shè)備以及工�(yè)電源等領(lǐng)域,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和功率密度�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:150mΩ
柵極電荷�95nC
開關(guān)頻率:高� 5MHz
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:QFN
CDR34BP272BKZPAT 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達 600V 的漏源電壓,適用于高壓應用場��
2. 低導通電阻:僅為 150mΩ,可降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度:支持高� 5MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應用�
4. 高效散熱�(shè)計:QFN 封裝提供了良好的熱傳導路�,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 低柵極電荷:減少開關(guān)損耗,提高整體效能�
6. 寬工作溫度范圍:� -55� � +175�,適應各種嚴苛環(huán)境�
CDR34BP272BKZPAT 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. DC-DC �(zhuǎn)換器:在服務器電�、通信電源中實�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
2. 電機�(qū)動器:用于工�(yè)自動化設(shè)備中的高速電機控��
3. 無線充電�(shè)備:提供高效的能量傳輸,支持大功率無線充��
4. 工業(yè)電源:如焊接�(shè)備、激光電源等需要高功率密度和效率的場合�
5. 新能源汽車:用于車載充電器(OBC)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及逆變器等�(guān)鍵部��
CDR34BP272BKMJPAK
CDR34BP272BKMPAP