類型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vdss)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：100A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.5mΩ
　　總柵極電荷(Qg)：85nC
　　輸入電容(Ciss)：3500pF
　　輸出電容(Coss)：1200pF
　　反向傳輸電容(Crss)：120pF
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃

CDR34BP272BFZPAT具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提升整體系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用，減少開關(guān)損耗。
　　3. 強(qiáng)大的電流承載能力，允許在大電流條件下可靠運(yùn)行。
　　4. 先進(jìn)的封裝技術(shù)，優(yōu)化了熱管理和電磁兼容性表現(xiàn)。
　　5. 內(nèi)置多種保護(hù)機(jī)制，增強(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性和安全性。
　　6. 廣泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境下的使用需求。

這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)電源(SMPS)及DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)管。
　　2. 電動(dòng)工具、家用電器和其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率級(jí)元件。
　　3. 汽車電子中的負(fù)載切換和逆變器模塊。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元。
　　5. 大功率LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
　　通過(guò)其高效能表現(xiàn)，CDR34BP272BFZPAT成為眾多高要求應(yīng)用的理想選擇。

CDR34BP272BFPZPAT, CDR34BP272BFZPBT