CDR34BP103AKZRAT是一款高壓功率MOSFET,基于先進(jìn)的溝槽柵極技術(shù)制造。它主要適用于高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用,例如電源適配器、開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。
該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)性能,能夠在高頻條件下提供高效的能量轉(zhuǎn)換,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。
型號(hào):CDR34BP103AKZRAT
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源電壓):100V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻):3.2mΩ (典型值,在VGS=10V時(shí))
IDS(連續(xù)漏極電流):95A
VGS(th)(閾值電壓):2.8V~4.2V
輸入電容(Ciss):4780pF
輸出電容(Coss):165pF
總柵極電荷(Qg):72nC
工作溫度范圍:-55°C ~ +175°C
封裝形式:TO-247-3
CDR34BP103AKZRAT采用了先進(jìn)的溝槽式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),從而顯著降低了導(dǎo)通電阻,提高了效率。
其具備以下特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),在高頻應(yīng)用中可減少傳導(dǎo)損耗。
2. 高雪崩能力,確保在異常情況下的耐用性。
3. 優(yōu)秀的開關(guān)性能,降低開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。
4. 強(qiáng)大的散熱能力,能夠承受高電流密度。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝。
6. 耐高溫設(shè)計(jì),適合工業(yè)及汽車級(jí)應(yīng)用環(huán)境。
這些特性使得該器件成為高性能功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
CDR34BP103AKZRAT廣泛應(yīng)用于各種高功率和高頻場(chǎng)合,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
2. 通信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換模塊。
3. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率控制單元。
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān)。
5. 電動(dòng)汽車(EV)充電系統(tǒng)中的高頻功率轉(zhuǎn)換。
6. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電路。
其優(yōu)異的性能使其在需要高效率和高可靠性的領(lǐng)域表現(xiàn)卓越。
CDR34BP103AKZRA, IRF3710, STP95N10F7