日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CDR33BX153BMZRAT

CDR33BX153BMZRAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:42:37 查看 閱讀�8

CDR33BX153BMZRAT 是一款由 ROHM(羅姆)生產(chǎn)� SiC MOSFET 功率晶體管,采用 TO-247-4 封裝形式。該器件基于碳化硅材料制造,具有高效�、高速開�(guān)和高耐壓特性,適用于工�(yè)�(shè)備和汽車�(lǐng)域的各種功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)能夠顯著降低�(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,同�(shí)支持更高的工作溫度范�,使其成為高性能電源管理系統(tǒng)的理想選��

參數(shù)

額定電壓�1200V
  額定電流�80A
  Rds(on)�15.3mΩ
  柵極電荷�195nC
  輸入電容�1180pF
  最大功耗:340W
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

CDR33BX153BMZRAT 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力:額定電壓高�(dá) 1200V,適用于高壓�(huán)境下的功率轉(zhuǎn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:Rds(on) 僅為 15.3mΩ,顯著降低傳�(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)性能:得益于 SiC 材料的優(yōu)�,其開關(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,從而減少開�(guān)損耗�
  4. 耐熱性優(yōu)異:支持最高結(jié)� 175�,適合高溫應(yīng)用場��
  5. 四腳封裝�(shè)�(jì):TO-247-4 封裝�(yōu)化了散熱性能并減少了寄生電感的影響�
  6. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn):確保產(chǎn)品在汽車電子�(lǐng)域的可靠性與�(wěn)定��

�(yīng)�

CDR33BX153BMZRAT 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)域,具體包括�
  1. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的車載充電器及逆變��
  2. 工業(yè)� DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)�
  4. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
  5. 高頻功率放大器和其他要求快速開�(guān)的應(yīng)用場��

替代型號

CDR33BZ153BMZRA, CDR33BX153BMZRA

cdr33bx153bmzrat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BX
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�R�0.01%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"�1.25mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-