CDR33BP302AJZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工藝設�。該芯片具有低導通電�、高耐壓和快速開關速度等特�,適用于多種功率轉換和驅動應�。其封裝形式為TO-252(DPAK�,能夠提供卓越的散熱性能和電氣穩(wěn)定性�
該器件廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制、電源管理和電機驅動等領�。由于其出色的電氣特性和可靠�,CDR33BP302AJZRAT成為許多工程師在設計高效率功率系�(tǒng)時的首選�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�14A
導通電�(Rds(on))�2.6mΩ
總功�(Ptot)�98W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
CDR33BP302AJZRAT的核心優(yōu)勢在于其低導通電阻(2.6mΩ�,這有助于降低傳導損耗并提高整體效率�
此外,該芯片還具備以下特點:
- 高額定電流能力(14A),使其能夠在大功率應用場景中穩(wěn)定運��
- 快速開關速度,有效減少開關損��
- 高度可靠的設計,支持寬溫度范圍操作(-55℃至+175℃)�
- 具備出色的熱性能和電氣隔離性能,適應惡劣的工作�(huán)境�
這些特性使CDR33BP302AJZRAT成為各種高要求功率應用的理想選擇�
CDR33BP302AJZRAT適用于廣泛的功率轉換和驅動場�,包括但不限于:
- 開關電源(SMPS)中的功率級開關元件�
- DC-DC轉換器中的同步整流或主開��
- 電機驅動電路中的功率輸出��
- 工業(yè)自動化設備中的負載切��
- 汽車電子系統(tǒng)中的高可靠性功率管理組件�
憑借其強大的性能表現(xiàn),這款MOSFET能夠滿足�(xiàn)代高效能電力系統(tǒng)的需求�
CDR33BP302BQZRA, IRF3710, FDP150N06L