CDR33BP132BKZRAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)的功� MOSFET,專為高效率和高頻應(yīng)用設(shè)計。該器件采用 D2PAK-7 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適合用于電動汽車、太陽能逆變�、服�(wù)器電源等高效能量�(zhuǎn)換場��
該芯片利� SiC 材料的優(yōu)異性能,能夠顯著降低傳�(dǎo)和開�(guān)損耗,同時支持更高的工作溫度范�。其先�(jìn)的封裝技�(shù)也�(jìn)一步提升了散熱性能,從而增強了系統(tǒng)的整體可靠��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�165nC
反向恢復(fù)時間�60ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
CDR33BP132BKZRAT 提供了卓越的電氣性能和熱性能,其主要特點如下�
1. 基于 SiC 技�(shù)的功� MOSFET,具備更低的�(dǎo)通電阻和更高的效��
2. 支持高達(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(yīng)用場��
3. 極低的柵極電荷和輸出電荷,確??焖匍_�(guān)速度,減少開�(guān)損��
4. 反向恢復(fù)時間短,�(jìn)一步優(yōu)化高頻操作時的性能�
5. 工作溫度范圍寬廣,可適應(yīng)極端�(huán)境條件�
6. 先�(jìn)� D2PAK-7 封裝形式提供出色的散熱能力和易于安裝的優(yōu)��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場�,具體包括:
1. 電動汽車中的牽引逆變器和車載充電器�
2. 太陽能光伏逆變器,用于將直流電�(zhuǎn)換為交流��
3. �(shù)�(jù)中心和工�(yè)�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
5. 高頻諧振變換器和其他要求快速開�(guān)能力的電力電子系�(tǒng)�
CDR33BP120BZDAT, CDR28BP1200BZPAT