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時(shí)間：2025/5/31 1:50:03
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CDR33BP132BJZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)。該器件主要應(yīng)用于高效率開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。它具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度以及高耐壓能力等優(yōu)點(diǎn)，能夠在高頻工作條件下保持高效穩(wěn)定運(yùn)行。
該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，封裝形式為T(mén)O-263（D2PAK），適合表面貼裝技術(shù)（SMT）應(yīng)用。其出色的電氣性能和熱特性使其成為許多工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的理想選擇。
最大漏源電壓：100V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：13A
導(dǎo)通電阻：13mΩ
柵極電荷：45nC
反向恢復(fù)時(shí)間：8ns
工作溫度范圍：-55℃至175℃
結(jié)溫：175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度，能夠支持高頻操作，減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力，提供更強(qiáng)的過(guò)載保護(hù)功能。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路，增強(qiáng)了芯片在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿(mǎn)足全球法規(guī)要求。
6. 封裝散熱性能優(yōu)越，有助于提升整體系統(tǒng)的熱管理效果。
7. 可靠性高，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量測(cè)試，適用于各種惡劣環(huán)境。
1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
5. 汽車(chē)電子領(lǐng)域，如車(chē)載充電器和逆變器
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
7. LED照明驅(qū)動(dòng)電路
8. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景
IRF3205
FDP55N06L
AON6940
STP130N10E6
IXFN130N10T2
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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